1)热稳定因子与器件总热阻。（结到环境的热阻）成正比，所以为了降低S就要对器件结构进行热设计， LC78815M以降低芯片热阻，采用良好的烧结工艺、焊接材料及底座材料，降低芯片与底盘间接触热阻，正确使用和合理安排散热器，以降低器件外热阻。

   2)S与偏压U。。成正比，同样功耗下使用低压大电流比高压小电流要安全得多。

   3)分析上式的分母可知，当发射极等效的串联电阻（冬。+恚）比发射结动态电阻朋q lc大很多时，s与（RE+急）成反比，这就是RB. RE的电流负反馈效应，所以RE. RB分别称为发射极、基极镇流电阻，正确设计（RE+急）值对提高功率管可靠性是很重要的。

   4)由上式分子中的第二项可见，AE。越大，则S越大，所以重掺杂引起发射区禁带变窄效应，削弱了R。和R。的镇流作用。这就是LEC(低发射区浓度)结构、多晶发射区结构以及新的异质结NPN(GaAIAs-GaAs)结构的双极型晶体管热稳定性好的原因。

   5)肖特基势垒二极管的正向压降Uf及正向电流密度变化率碧比硅二极管小，故其热稳定性相对较好。

   可得热稳定临界曲线，临界曲线以内为热稳定区。所以功率器件热电是互为反馈的，任意子器件上的电流增量必然会导致结温增加，进而引起电流高度集中，出现热斑。热斑处温度迅速增加，经毫微秒至毫秒的延迟时间迅速趋于“热奔”，直至器件烧毁。与此相反，有时热斑处温度怛定，器件可暂时在这种状态工作一段时间，称此为稳定热斑。其原因是热斑处电流高度集中，出现了一系列高电流密度效应，例如，基区扩展效应和电流集边效应，这些效应的综合结果使S有下降趋势，S≤1即为稳定热斑区。