二次击穿(SB)现象不仅在双极功率管中存在，而且在点接触二极管、CMOS集成电路中也存在。 LC78816MC-TE-L当器件被偏置在某一特殊工作点(平面上USB、ISB处)时，电压突然降落，电流突然上升，出现负阻的物理现象叫丘二次击穿。这时若无限流或其他保护措施，器件将烧毁。双极功率晶体管的二次击穿情况如图4. 19所示。

   二次击穿与雪崩击穿（一次击穿）不同，雪崩击穿是电击穿，一旦反偏压下降，器件（若击穿是在限流控制下）又可恢复正常，它是可逆非破坏性的。二次击穿是破坏性的热击穿，并且为不可逆过程，有过量电流流过PN结，温度很高，使PN结烧毁。    

   电压开始跌落的点称二次击穿触发点， 其功率记为PSB，在二次击穿触发点停留的 (IB<O)和基极开路O(IB=o)时时间Cd称二次击穿“延迟时间”，则二次击穿  由于PSBR<PSBO<PSBF，发射结反偏时最容易引起二次击穿，这是由于反偏时电流在基区电阻上产生横向压降使电流聚集在发射区中间，电流密度更大所造成的。二次击穿与电压、电流脉冲作用时间和基区电阻率有关。