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双沟道线型

发布时间:2015/5/6 19:41:17 访问次数:856

   如图4 -42所示为双沟道线型摄像器件,它具有EP1C3T144两列CCD移位寄存器,分别在像敏阵列的两边。当转移栅为高电位(对于n沟器件)时,光积分阵列的信号电荷包同时按箭头方向转移到对应的移位寄存器内,然后在驱动脉冲的作用下,分别向右转移,以视频信号输出。显然,同样像敏单元的双沟道线阵ICCD要比单沟道线阵ICCD的转移次数少近一半,它的总转移效率亦大大提高。故一般高于512位的线阵ICCD都设计成双沟道型的。

   以上分析的为线阵CCD,它只能对一维光强成像。同样可以把CCD作成面阵,就可以对二维光强成像,可以摄下一幅图像。

   面阵CCD如图4-43所示。它可分成三个区域,即成像区、存储区和读出移位寄存区。

    

   在成像区纵向方向作成几十行到300多行电荷耦合器(和线阵一样),行之间互不沟通,图中水平实线划出三相电极,它们由外电路提供三相驱动脉冲。存储区也与成像区有类似结构,只是有遮光材料使存储区对光屏蔽。它们的三组电极是沿垂直方向向上传输。读出移位寄存器的三相电极沿水平方向布置,电荷包沿水平方向传送,最后输出到外电路。

   成像区摄像时,三相电极中的某一相处于合适电位,光生载流子的电荷就存储于这相电极之下的势阱中。积分到一定时间,在三相驱动脉冲作用下,把成像区的电荷包传送到(垂直往上),存储区,然后存储区逐行转移到读出寄存区。读出寄存器在三相脉冲作用下把像素的信号逐个输出。每读出一行以后,存储区再转移一行。如此重复,直到全部像素被输出。在存储区信号逐行输出的同时,咸像区中另一电极工作于合适电压,对光强进行积分,这样隔行成像分辨率高。面阵CCD有足够像素与电视监视器配用,就成为固体摄像机。


   如图4 -42所示为双沟道线型摄像器件,它具有EP1C3T144两列CCD移位寄存器,分别在像敏阵列的两边。当转移栅为高电位(对于n沟器件)时,光积分阵列的信号电荷包同时按箭头方向转移到对应的移位寄存器内,然后在驱动脉冲的作用下,分别向右转移,以视频信号输出。显然,同样像敏单元的双沟道线阵ICCD要比单沟道线阵ICCD的转移次数少近一半,它的总转移效率亦大大提高。故一般高于512位的线阵ICCD都设计成双沟道型的。

   以上分析的为线阵CCD,它只能对一维光强成像。同样可以把CCD作成面阵,就可以对二维光强成像,可以摄下一幅图像。

   面阵CCD如图4-43所示。它可分成三个区域,即成像区、存储区和读出移位寄存区。

    

   在成像区纵向方向作成几十行到300多行电荷耦合器(和线阵一样),行之间互不沟通,图中水平实线划出三相电极,它们由外电路提供三相驱动脉冲。存储区也与成像区有类似结构,只是有遮光材料使存储区对光屏蔽。它们的三组电极是沿垂直方向向上传输。读出移位寄存器的三相电极沿水平方向布置,电荷包沿水平方向传送,最后输出到外电路。

   成像区摄像时,三相电极中的某一相处于合适电位,光生载流子的电荷就存储于这相电极之下的势阱中。积分到一定时间,在三相驱动脉冲作用下,把成像区的电荷包传送到(垂直往上),存储区,然后存储区逐行转移到读出寄存区。读出寄存器在三相脉冲作用下把像素的信号逐个输出。每读出一行以后,存储区再转移一行。如此重复,直到全部像素被输出。在存储区信号逐行输出的同时,咸像区中另一电极工作于合适电压,对光强进行积分,这样隔行成像分辨率高。面阵CCD有足够像素与电视监视器配用,就成为固体摄像机。


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