光束是通过透明电极或电极之间进入半导体的EP1C12F256I7N 所激发出来的光电子数与光强有关，也与积分时间长短有关，于是光强分布图就变成CCD势阱中光电子电荷分布图。积分完毕后，电极上的电压变成三相重叠的快速脉冲，把电荷包依次从输出端读出。在读出过程中，光依然照在CCD上，这就有新的光生电子掺入使读出数据失真。因此实际结构是把光敏的CCD和读出的移位寄存器分开，其具体形式有两种：单沟道线型和双沟道线型。

   单沟道线型

   如图4 - 41所示为单沟道线型ICCD的结构图。

   由图可见，其光敏阵列与转移区——移位寄存器是分开的，移位寄存器被遮挡。ICCD也可用三相时钟脉冲驱动。这种器件在光积分周期tINT里，光敏区在光的作用下产生光生电荷，存于由栅极直流电压形成的光敏MOS电容势阱中，当转移脉冲咖，到来时，线阵光敏阵列势阱中的信号电荷并行转移到CCD穆位寄存器中，最后在时钟脉冲的作用下，一位一位地移出器件，形成视频信号。这种结构的CCD的转移次数多，转移效率低，只适用于像敏单元较少的摄像器件。