- 基于EDMA的TMS320C6713片外Flash自举引导2008/5/28 0:00:00 2008/5/28 0:00:00
- 摘要：在基于dsp的系统设计中，为了保证掉电时程序不丢失，总是将程序保存在非易失性存储器中，以便系统在上电复位时可将其引导到dsp内部的ram中执行。以ti公司的tms320c6713浮点d...[全文]
- 赛普拉斯推出采用0.13微米SONOS制程生产的4-Mbit nvSRAM产品2008/5/28 0:00:00 2008/5/28 0:00:00
- 赛普拉斯半导体公司（纽约交易所代码：cy）于近日推出了一款4-mbit非易失性静态随机存储器（nvsram）产品。这款新器件产品的特色包括15 ns的快速存取时间、无限次读取、写入和调用循环...[全文]
- ST推出面向便携式应用的高集成存储卡接口EMIF06-SDO2F32008/5/28 0:00:00 2008/5/28 0:00:00
- st推出微小型高集成芯片，该芯片使用st公司世界领先的ipad (integrated passive and active devices)技术生产，可以为手机、gps导航设备、数码相机及...[全文]
- Ramtron针对智能动力传动应用的4Kb F-RAM存储器2008/5/28 0:00:00 2008/5/28 0:00:00
- ramtron宣布扩展其+125℃汽车f-ram存储器产品线阵容，fm25l04-ga这款3v、4kb并具有串行外设接口(spi)的f-ram器件现符合grade 1 aec-q100的规范...[全文]
- NEC推出8款低功耗版32位闪存微控制器2008/5/28 0:00:00 2008/5/28 0:00:00
- nec电子日前完成了8款低功耗版32位闪存微控制器的开发，并将其作为全闪存微控制器的第一阶段产品，于即日起开始供应样品。此次推出的系列产品共包括4款v850es/jg3-l产品和4款v850...[全文]
- 一种新型异步FIFO的设计2008/5/28 0:00:00 2008/5/28 0:00:00
- 摘要：本文详细说明了一种新型异步fifo的设计方法。该异步fifo的宽度为8位，深度为16，支持深度为1的buffer模式。水位可编程。它具有四种fifo状态，对于dma和中断的支持非常有用...[全文]
- 单向双端口SRAM的测试算法2008/5/28 0:00:00 2008/5/28 0:00:00
- 引 言 单向双端口sram是一种专用的存储器，它具有独立的写地址总线和读地址总线，不仅可以实现单端口的读写，还可以对不同地址的存储单元进行同时读写操作，提高了sram的性能。本文分析了单...[全文]
- ST 推出世界第一个90nm内置闪存的安全型微控制器2008/5/28 0:00:00 2008/5/28 0:00:00
- 意法半导体（纽约证券交易所： stm)今天推出一个新的内置闪存的安全型微控制器（mcu），该产品是世界第一个采用90nm (90纳米)制造工艺的微控制器。st21f384是st成功的st21...[全文]
- Ramtron 推针对智能动力传动应用的+125℃ F-RAM存储器2008/5/28 0:00:00 2008/5/28 0:00:00
- 全球领先的非易失性铁电随机存取存储器 (f-ram) 和集成半导体产品开发商及供应商ramtron international corporation宣布扩展其 +125℃ 汽车f-ram存...[全文]
- Akros推出应用于PoE＋的30W PD控制器AS11302008/5/28 0:00:00 2008/5/28 0:00:00
- 30w用电设备的pwm控制器as1130满足新兴的802.3at（poe＋）标准的要求，定义了用以太网非屏蔽双绞线传输高达30w的功率，并且支持高端安全摄像头和无线局域网接入点。它集成了带有...[全文]
- SAMSUNG推出首个30nm级64Gb NAND Flash2008/5/28 0:00:00 2008/5/28 0:00:00
- 三星电子有限公司（samsung electronics co., ltd）日前宣布，已经开发出世界上第一个使用30nm级的处理技术的64gb多级单元（mlc）nand闪存芯片。由于计算和数...[全文]
- 一种低电压低功耗的甲乙类S2I存储单元2008/5/28 0:00:00 2008/5/28 0:00:00
- 开关电流技术[1]是一种模拟取样信号处理新技术，主要应用于开关电流滤波器和模数转换器设计。由于开关电流电路无需使用双层多晶硅电容，因此电路可以采用标准的cmos数字工艺实现，从而降低了制...[全文]
- 介绍嵌入式应用中存储器类型的选择技巧2008/5/28 0:00:00 2008/5/28 0:00:00
- 存储器的类型将决定整个嵌入式系统的操作和性能，因此存储器的选择是一个非常重要的决策。 无论系统是采用电池供电还是由市电供电，应用需求将决定存储器的类型(易失性或非易失性)以及使用目的...[全文]
- 3V、4Kb F-RAM存储器（Ramtron）2008/5/28 0:00:00 2008/5/28 0:00:00
- ramtron international corporation宣布扩展其 +125℃ 汽车f-ram存储器产品线阵容，fm25l04-ga 这款3v、4kb并具有串行外设接口 (spi)...[全文]
- NEC电子新款32位闪存微控制器产品，功耗降低50％2008/5/28 0:00:00 2008/5/28 0:00:00
- nec电子日前完成了8款低功耗版32位闪存微控制器的开发，并将其作为全闪存微控制器的第一阶段产品，于即日起开始供应样品。此次推出的系列产品共包括4款v850es/jg3-l产品和4款v850...[全文]
- HOLTEK推出内建显示内存的LED驱动IC2008/5/28 0:00:00 2008/5/28 0:00:00
- 盛群半导体(holtek)推出的ht1632为内建显示内存的led面板驱动ic，支持驱动32×8点及24×16点分辨率，若应用点数需更高，ht1632也支持串接扩充功能。适用于健身器材...[全文]
- 意法半导体推出世界第一个90nm内置闪存的安全型微控制器2008/5/28 0:00:00 2008/5/28 0:00:00
- 意法半导体推出一个新的内置闪存的安全型微控制器(mcu)，该产品是世界第一个采用90nm (90纳米)制造工艺的微控制器。st21f384是st成功的st21智能卡平台内的第一款安全型...[全文]
- Ramtron推出64kb内嵌FRAM和RTC的增强型处理器外围芯片2008/5/28 0:00:00 2008/5/28 0:00:00
- ramtroninternational公司宣布：推出64kb、3v内嵌铁电存储器的处理器外围芯片产品fm3130，在微型封装中结合了非易失性铁电存储器fram和rtc(实...[全文]
- 亿能内存推出高速XTUNE DDR3-1333 内存模组2008/5/28 0:00:00 2008/5/28 0:00:00
- xtune ddr3-1333内存模组的存储密度为1gb（axh760ud00-13g），其中每个模块都经过了测试，测试表明，在1.5伏的标准ddr3工作电压下，其时钟频率可达1333mhz...[全文]
- ROHM开发成功适于车载环境下使用SPI 接口EEPROM BR25Hxx02008/5/28 0:00:00 2008/5/28 0:00:00
- rohm开发出一种适合车载环境下使用的eeprom br25hxx0系列 (非易失存储器)，这种新产品采用世界首创的双单元结构，可以在125℃条件下稳定工作，与spi bus兼容。rohm倡...[全文]
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