- R3111H311C-T1状态召替换表2019/10/17 21:19:42 2019/10/17 21:19:42
- R3111H311C-T1画出逻辑图,并检查自启动能力根据激励方程组和输出方程画出逻辑图,如图6.3.9所示。最后还应检查该电路的自启动能力。当...[全文]
- DDs的主要技术参数2019/7/29 20:55:24 2019/7/29 20:55:24
- DDs的主要技术参数DDS中的相位累加器是Ⅳ比特的模2加法器,正弦查询表R0M中存储一个周期的正弦波幅度量化数据,所以频率控制字Κ取最小值1时,每Γ个时钟周期输出一个周期的正弦波。...[全文]
- 试验标硅、规范制定情况 2019/5/28 20:40:39 2019/5/28 20:40:39
- 试验标硅、规范制定情况H27U4G8F2DTR-BI目前美国和欧洲的实验室和研究机构均未建立标准或指南性的用于指导结构分析的公开文件。针对各种器件展开的结构分析主要还是集中在依靠质...[全文]
- DPA检验项目的方法应符合合同2019/5/27 20:03:10 2019/5/27 20:03:10
- DPA检验项目的方法应符合合同、相应产品A1126LUA-T规范和GJB4陇7A的要求,当采用合同或规范规定的检验项目时,应根据适当情况在GJB128、GJB360、GJB548等...[全文]
- 不同种类电子元器件相应的DPA项目2019/5/27 19:55:48 2019/5/27 19:55:48
- 不同种类电子元器件相应的DPA项目对不同的元器件有不同的DPA试验分析试验项目,GJB4陇7A有明确的规定,如微电G2RL-2-DC5V子器件及半导体分立器件(包括单片集成电路、混...[全文]
- 元器件涉及的啮合力和分离力试验包括两个部分2019/5/18 19:49:07 2019/5/18 19:49:07
- 元器件涉及的啮合力和分离力试验包括两个部分,一是连接器整体的啮合力和分离力;G5177ARE1U二是连接器中接触件的插入力和拔出力。电连接器啮合力和分离力试验是检查装配是否可靠,是...[全文]
- 非塑封器件的芯片超声检查主要对芯片接触区的空洞进行检测2019/5/18 19:45:22 2019/5/18 19:45:22
- 非塑封器件的芯片超声检查主要对芯片接触区的空洞进行检测,在检测过程中由于安装材料的特殊性会影响检测的结果,如果不能显示真正的空洞或不能对检测结果进行明确时,G4PC50W对此类器件应在检测报告中...[全文]
- 接受本试验的样品应分成相等的三组2019/5/17 21:50:53 2019/5/17 21:50:53
- 接受本试验的样品应分成相等的三组。把样品在室温下浸入RMA焊剂中(按GB/T%91的规定),预处理5~1os,然后把样品置入215℃±5℃的环境下⑽+:s。EL2227CS-T13在预处理之后,...[全文]
- 考核电子元件承受焊接所产生的热应力的能力即耐焊接热试验2019/5/17 21:32:26 2019/5/17 21:32:26
- 考核电子元件承受焊接所产生的热应力的能力即耐焊接热试验,属于集成电路的物理试验。EDB4432BBPJ-1D-F本试验用于确定元件是否能经受得起在焊接(烙焊、浸焊、波峰焊或再流焊)端头过程中所产...[全文]
- X射线照相技术的发展趋势 2019/5/17 21:01:44 2019/5/17 21:01:44
- X射线照相技术的发展趋势目前X射线无损检测技术大致可以分为三大类:基于2D图像的X射线检测分析技术;基于2D半图像,EDB2432BCPC-8D-F具有最高放大倍数的倾斜视图的X射...[全文]
- 有缺陷的密封2019/5/17 20:25:28 2019/5/17 20:25:28
- 有缺陷的密封:不管哪种类型的器件,只要其整个封盖密封是不连续的,或密封宽H10N60F度不到设计密封宽度的75%,就应拒收。最终密封过程所引起的喷溅不视为外来物,只要能够确认它是连续的、均匀的、...[全文]
- 单片器件的接收判据2019/5/16 21:11:05 2019/5/16 21:11:05
- 单片器件的接收判据1)单个器件的缺陷单个器件检查应包括但又不限于检查以下项目:多余物、由键合材料构成的低温焊或熔焊的溅沫、AD1582BRT引线或触丝的合适形状和位置...[全文]
- sRAM器件的单粒子翻转测试系统2019/5/15 20:24:57 2019/5/15 20:24:57
- sRAM器件的单粒子翻转测试系统图3-22所示为sRAM器件单粒子翻转效应测试系统示意图。单片机控制被试sRAM器件的读/写,以及测试图形与预定图形的对比,并将比对结果发送给上位机...[全文]
- 国内相关标准调研分析2019/5/14 20:36:13 2019/5/14 20:36:13
- 国内相关标准调研分析在半导体器件总剂量辐照试验方面,国内主M24C02-WDW6TP要'总剂量辐照试验标准如表3-6所示。表⒊...[全文]
- 剂量测试系统2019/5/14 20:32:05 2019/5/14 20:32:05
- 剂量测试系统所谓剂量测试系统,M24C02-RDW6TP指的是电离总剂量辐照试验过程中对辐照剂量率和辐照总剂量进行测量的装置和方法。剂量测试系统的准确性和有效性是电离总剂量辐照试验...[全文]
- 热真空试验温度及压力测量技术2019/5/13 21:24:29 2019/5/13 21:24:29
- 热真空试验温度及压力测量技术热真空试验舱内的压力是组件热平衡与热真空试验中必须模拟的重要参数之一。IC42S16400D-7TL因此,试验过程中对压力的正确测景是试验成败的关键。试...[全文]
- 验证接种液中所用霉菌孢子的活性2019/5/10 22:13:53 2019/5/10 22:13:53
- ●验证接种液中所用霉菌孢子的活性;●验证试验箱内的环境适宜霉菌生长的程度。材料和部件的霉菌试验不能完全代表其所构成装备的霉菌生长情况,因此,如需要LF1...[全文]
- 有关技术与设备要求2019/5/6 20:41:56 2019/5/6 20:41:56
- 有关技术与设备要求(1)有关技术。对于试验期间温度的测量,应在距离被试任一样品或同类样品组的规定的自由间隔内进行。此外,温度测量也应在由样品所产生的热对温度记录影响最小的位置上进行...[全文]
- 非散热试验样品温度渐变的低温试验2019/5/5 21:53:04 2019/5/5 21:53:04
- 试验Ab:非散热试验样品温度渐变的低温试验,用以确定非散热的电子电工产品(包括元件、设备或其他产品)低温下存储和使用的适应性。将处于室温的试验样品,按正常位置放入试验箱内,开动冷源,使试验箱温度...[全文]
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