单片器件的接收判据

   1)单个器件的缺陷

   单个器件检查应包括但又不限于检查以下项目:多余物、由键合材料构成的低温焊或熔焊的溅沫、 AD1582BRT引线或触丝的合适形状和位置、引线或触丝线分别与半导体元件及外引线键合区的键合、半导体金属化图形和半导体元件的装架。由X射线照片检查暴露出以下缺陷的任何器件应拒收。

   2)外来物的存在

   多余物应包括但又不限于以下内容:

   (l)内引线尾部的延伸,在半导体芯片焊盘上超过引线直径的两倍,或在封装外引线键合区上超过内引线直径的4倍,如图⒋I8(a)所示。

   (2)大于0,Ⅱ5mm的游离或附着的任何颗粒,如图4-18(b)所示,或虽然尺寸较小但足以跨接器件中互相不连接的导电部分的任何外来颗粒。

   (3)在封帽内部外引线端头上的主要尺寸大于0,08nllll或从形状来看会断开的任何毛刺。

  (4)多余的半导体芯片键合材料的累积。