- 设计性实验可提高学生对基础知识2017/6/23 20:45:05 2017/6/23 20:45:05
- 设计性实验可提高学生对基础知识、基本实验技能的运用能力,掌握参数及电子电路内在规律,真正理解模拟电路参数¨量”的差别和I作“状态”的差别。MAX3221IDBR仿真实验可以使学生通过掌握一种仿真...[全文]
- 磁珠和电容的正确位置和连接关系2017/6/22 21:16:54 2017/6/22 21:16:54
- 【处理措施】磁珠和电容的正确位置和连接关系是,紧靠芯M25P32-VMW6TP片电源Ⅴcc引脚处直接并联10uF电容和0.1uF去耦电容,来增加抗电流跳变的能力;然后串联磁珠FB5...[全文]
- 典型的门电路输出级2017/6/22 19:58:15 2017/6/22 19:58:15
- 为了证实以上的判断,做了以下试验:(1)在器件38凹的每个电源引脚及图5.14所示的C点到D点之间加焊了三个0.1uF的小电容,以达到器件每个电源引脚有一个就近放置的去耦电容,重新...[全文]
- 解决电源线辐射的最直接的措施就是在电源端口上加滤波电路,2017/6/21 21:00:14 2017/6/21 21:00:14
- 解决电源线辐射的最直接的措施就是在电源端口上加滤波电路,但是在使用电源滤波不能彻底解决问题或影响该产品的传导骚扰测试时,T1035H-6G只能转人产品电源部分的电路分析,通过开关电源原理的改动或...[全文]
- 选择二极管钳位还是选用TⅤS保护2017/6/21 20:39:00 2017/6/21 20:39:00
- 案例44:选择二极管钳位还是选用TⅤS保护【现象描述】某产品有2MHz频率的接口电路。由于该PG985C4R产品的应用环境要求,该电路需要进行浪涌保护设计,并进行1k...[全文]
- TⅤS电压与电流关系图2017/6/21 20:32:34 2017/6/21 20:32:34
- 另外,受测试的引脚14/15与“7物理位置较远,相关的PCB信号布线间距是70mil。PA905C6由此来推断,因为引脚或布线的耦合而使相邻接口产生问题的可能性几乎不存在,比较大的可能性就是器件...[全文]
- 修改设计后的传导发射测试结果2017/6/20 20:42:29 2017/6/20 20:42:29
- 在图4.56中,测试结果在整个频段上除了个别点都能满足限值要求,测试过程中,虽R82DC4100DQ60JB然经过多次改变电感电容的参数,但是效果并不明显,超标的个别频率点依然无法消除c另外,从...[全文]
- 实际电源中的LC差模滤波电路的插人损耗曲线2017/6/19 20:26:54 2017/6/19 20:26:54
- 确定了滤波器件在滤波电路中的相对位置后,还需要再确定滤波电路中差模滤波电感和差模滤波电容的参数。HCPL-3120-000E参数可以由该LC滤波电路在实际电路中的插人损耗来确定。图4.41是实际...[全文]
- 以上是根据理论进行的分析,将采用以下方法进行验证:2017/6/19 20:01:41 2017/6/19 20:01:41
- 以上是根据理论进行的分析,将采用以下方法进行验证:(1)取下滤波器,拿到机壳外(远离开关电源),放在参考接地平板上,以便很好地接地,H1102NLT则可以通过传导骚扰的测试,且裕量...[全文]
- 在电源输出线上套L磁环后的测试频谱2017/6/18 17:10:17 2017/6/18 17:10:17
- 在测试中发现,一旦插上30cm长的这段电源线,即使不接Hllb,DC/DC电源无负载,终端悬空,S912XET256W1MAL发射也相当大,如图4.17所示。图418...[全文]
- 压敏电阻2017/6/18 16:49:57 2017/6/18 16:49:57
- 气体放电管的失效模式在多数情况下为开路,因电路设计原囚或其他因素导致放电管长期处于短路状态而被烧坏时,也可引起短路的失效模式。S34ML01G200TFI000气体放电管使用寿命相对较短,经多次...[全文]
- 用电感和电阻的并联能更好地解释铁氧体磁珠2017/6/18 16:38:43 2017/6/18 16:38:43
- 事实上,用电感和电阻的并联能更好地解释铁氧体磁珠。低频时,电感将电阻短路;高频时,S1M-E3/61T感抗很高,电流只能流经电阻。根据抑制干扰频率的不同,选择不同磁导率的铁氧体材料。铁氧体材料的...[全文]
- 更改舌辐射骚扰测试接收天线水平极化时的测试频谱2017/6/16 20:34:15 2017/6/16 20:34:15
- 检查本案例中的数码相机,首先发现,数码相机侧的USB屏蔽电缆的屏蔽层与UsB接口金属连接器采用的是“Rgtail”的连接方式,即屏蔽层在靠近金属连接器时,拧成一股长约3cm的线,再...[全文]
- 静电电流引起的辐别2017/6/15 20:18:22 2017/6/15 20:18:22
- 作为良好的抗静电放电十扰的设计,有必要做一些补充说明⊙在图333所示的电路中,M24C02-WMN6TP当静电放电点在设各的金属外壳上时,由于金属外壳本身存在不良搭接及孔缝,当静电...[全文]
- 塑料外壳连接器与金属外壳连接器对ESD的影响2017/6/15 20:16:46 2017/6/15 20:16:46
- 塑料外壳连接器与金属外壳连接器对ESD的影响【现象描述】M24C02-WMN6TP对某一采用金属外壳的多媒体产品进行ESD测试过程中,对音频接口进行2kⅤ的静电测试时...[全文]
- 微调电阻器的分类方法较多2017/6/13 18:54:37 2017/6/13 18:54:37
- 微调电阻器的分类方法较多,根据其安装形式,可分为立式和卧式微调电阻器两类;根据其制造材料,P6SMB20AT3G可分为碳膜微调电阻器、金属陶瓷微调电阻器、线绕微调电阻器等。①碳膜微...[全文]
- 感应加热用中频电源的单机功率容量将不断扩大2017/6/12 19:41:12 2017/6/12 19:41:12
- 感应加热用中频电源的单机功率容量将不断扩大,有望突破10MW,其工作频率将越来越高。L5150BNTR与感应加热用中频电源配套的限制电网干扰、保证电网绿色化的EMI抑制技术、功率因数校正技术将获...[全文]
- 离子注入机分为如下类别2017/6/11 10:25:35 2017/6/11 10:25:35
- 离子注入机分为如下类别：BAS70-04LT1G中等束流和高束流设备，高能量与氧离子注入机。离开加速管的正离子流实际上就是电流。束流高低水平可转化为每分钟注入的离子数量。束流越高，入射原子就越多...[全文]
- 工艺的提高导致了具有更高集成度和可靠性的集成电路的产生2017/6/11 10:01:25 2017/6/11 10:01:25
- 从1947年开始，BAS16LT1G半导体产业就已经呈现出在新工艺和工艺提高上的持续发展。工艺的提高导致了具有更高集成度和可靠性的集成电路的产生，从而推动了电子工业的革命。这些工艺的改进归为两大...[全文]
- ESD共模瞬态电流流过互连连接器时的公共阻抗耦合原理2017/6/9 19:56:27 2017/6/9 19:56:27
- 实际上,对于ESD共模干扰电流几屺也可以这样理解:静电放电发生时,曲于金EDD10321CBH-6ETS-F属外壳上的放电点与参考接地板之间不可能做到等电位(接地产品会好一些),使得A点的电位不...[全文]
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