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使用多个参考分组并计算时钟差均值可以显著提高估计精度2016/2/5 21:34:15
2016/2/5 21:34:15
许多传统的时间同步协议都是在收/发双方之间进行同步,而参考广播协议(RBS协议[30])则是在接收节点间完成同步。在RBS协议中,ADM211EARS-REEL发送节点发送消息的时刻可以作为一个...[全文]
接收节点则根据收到的时间戳调整自己的时钟2016/2/5 21:25:43
2016/2/5 21:25:43
如果将发布自己时间信息的节点称为发送节点,将接收时间信息的节点称为接收节点,A5030A那么时间同步的方法就可以分为收/发双方同步和接收节点间同步两类。收/发双方的时...[全文]
相位测量法2016/2/3 21:04:04
2016/2/3 21:04:04
如果光载波的光通量被调制成随时间呈周期性变化,而被测信息加载于光通量的相位之中,HCF40109M013TR那么检测到这个相位值即能确定被测值,这种方法称为光通量的相位测量法。典型...[全文]
用比较法硬件电路实现二值化方法2016/2/2 21:35:47
2016/2/2 21:35:47
比较法提取边界特征实现二值化的原理电路如图8.34所示。CCD视频信号经放大后,由HFA32PA120C时序电路产生时钟脉冲谚与CCD光敏元件输出脉冲调制信号相同步,由其控制接通模拟开关对CCD...[全文]
光电转换器件性能的波动还可能产生直流电平漂移2016/2/2 21:05:47
2016/2/2 21:05:47
当x从0增加到d时,光栅HCTL-2001-A00移过一个栅距,电压变化一个周期。如果用走道距离对应电压变化的周期数表示,那么和计量栅距数没有两样。为提高检测精度,采用电子细分技术,将每个周期分...[全文]
脉冲调制信号的解调2016/2/2 21:02:18
2016/2/2 21:02:18
在脉冲调制中具有广泛应用的一种方式是脉冲调宽,它的解调主要有两种方式。一种H5007NL是将脉宽信号Us送入一个低通滤波器,滤波后的输出Uo与脉宽B成正比。另一种方法是Uo用做门控信号,只有当U...[全文]
调频波的解调2016/2/1 21:05:38
2016/2/1 21:05:38
对于调频波的解调电路来说,其作GM1117-3.3T3R用是从调频波中取出原低频调制信号(调制信号常以低频正弦波为代表),即输出电压与输入信号的瞬时频率偏移成正比,完成频率一电压的变换作用,即鉴...[全文]
解调电路2016/2/1 20:52:41
2016/2/1 20:52:41
将被测信息从已调信号中分离出来的过程称为解调,常用的解调方法有如下两种:①光学方法,GFP60N03包括相干光干涉场解调(见第10章)和光电探测器解调;②电学法,主要包括峰值检波电路、相敏检波电...[全文]
光电器件与集成运算放大器的连接2016/2/1 20:48:36
2016/2/1 20:48:36
各种类型的集成运算放大器广泛应用于光电变换,尤其是在大多数微弱光信号的检测中,GFD30N03它与光电器件组合在一起的组合器件也已生产。集成运算放大器因结杓简单、使用方便而得到广泛应用。下面介绍...[全文]
红外焦平面阵列探测器2016/1/31 19:04:28
2016/1/31 19:04:28
从1917年的Case研制出第一只硫化铊光子探测器问世,到20世纪40年代初,PbS、硒化铅、MAX4315ESE碲化铅等新材料制备的单元探测器相继出现。伴随着半导体技术的发展推动了红外探测工艺...[全文]
CMOS图像传感器阵列结构2016/1/31 18:48:36
2016/1/31 18:48:36
图7.43所示是CMOS像敏元阵列结构,它由水平MAX430EPA移位寄存器、垂直移位寄存器和CMOS像敏元阵列组成。图7.44是CMOS摄像器件原理框图。如前所述,各MOS晶体管在水平和垂直扫...[全文]
线转移型面阵CCD2016/1/30 22:29:49
2016/1/30 22:29:49
如图7.27所示,与前两R1LV0408CSB-5SI种转移方式相比,线转移型面阵CCD取消了存储区,多了一个R1LV0408CSP-5SC线j手址电路。它的橡敏单元一行行地紧密排列,类似于帧转...[全文]
帧转移三相面阵CCD的原理结构2016/1/30 22:25:10
2016/1/30 22:25:10
光积分周期结束后,进入场逆程。在场逆程期间,加到成像区和存储区电极上的时钟脉冲将成像区所积累的信号电荷迅速转移到暂存区。R1LP0408CSP-5SI场逆程结束后进入下一场的场正程时间,在场正程...[全文]
电荷的检测(输出方式)2016/1/29 20:00:35
2016/1/29 20:00:35
在CCD中,有效地收集和检测电荷是一个重要问题。CCD的重要特性之一是,信号FES16DT电荷在转移过程中与时钟脉冲没有任何电容耦合,而在输出端则不可避免。因此,选择适当的输出电路可以尽可能地减...[全文]
视像管工作原理图2016/1/29 19:32:49
2016/1/29 19:32:49
在靶的右边装有网电极,它使靶FDC6331L前形成均匀电场,因而电子束在整个靶面都将垂直于靶。光电导靶既能完成光电变换又能存储信号,厚约几微米,如图7.12(b)所示。靶向着景物的一侧为信号板,...[全文]
光电导式摄像管2016/1/29 19:29:41
2016/1/29 19:29:41
光电导式摄像管利用光电导即内光电效应将光学图像转换成电势起伏。当光FDC2512学图像投射到光电导体靶面时,因各个像素上照度不同而导致电导率差异,从而在靶面上产生电势起伏,再通过扫描电子束读出随...[全文]
分辨率2016/1/28 20:46:10
2016/1/28 20:46:10
分辨率是用来表示成像器件分辨图像中明暗细节的能力。分辨率常用两种方式来描述:EP1C3T100I7一种为极限分辨率,另一种为调制传递函数。分辨率有时也称为鉴别率或解像力等。成像器件...[全文]
光电倍增管的应用2016/1/27 19:48:04
2016/1/27 19:48:04
光电倍增管具有灵敏度极高和快速响应等特点,目前它仍然是最常用的光电探测器之一,EP1810SC在许多场合还是唯一适用的光电探测器。在精密测量中,为了使光电倍增管稳定地工作,应注意以下几点。...[全文]
伏安特性2016/1/25 19:25:19
2016/1/25 19:25:19
光电管的伏安特性表示为当入射光的照度(或光通量)一定时,光电管输出的光HD74HC00RPEL电流与偏压的关系。图5.22(a)和(b)分别表示硅光电二极管和硅光电三极管的伏安特性...[全文]
温度特性2016/1/24 20:16:54
2016/1/24 20:16:54
光电池的参数都是在室温(25~30℃)下测得的,参数值随工作环境温度改变而变化。光电池的温度犍眭曲线主要指光照射光电池时开路电压Uoc与短路电流/sc随温度交化的情况,GL1117...[全文]
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