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CMOS图像传感器阵列结构

发布时间:2016/1/31 18:48:36 访问次数:427

     图7.43所示是CMOS像敏元阵列结构,它由水平MAX430EPA 移位寄存器、垂直移位寄存器和CMOS像敏元阵列组成。图7.44是CMOS摄像器件原理框图。如前所述,各MOS晶体管在水平和垂直扫描电路的脉冲驱动下起开关作用。水平移位寄存器从左至右顺次地接通起水平扫描作用的MOS晶体管,也就是寻址列的作用,垂直移位寄存器顾次地寻址阵列的各行。每个像元由光敏二极管和起垂直开关作用的MOS晶体管组成,在水平移位寄存器产生的脉冲作用下顺次接通水平开关,在垂直移位寄存器产生的脉冲作用下接通垂直开关,于是顺次给像元的光敏二极管加上参考电压(偏压)。被光照的二极管产生载流子使结电容放电,这就是积分期间信号的积累过程。而上述接通偏压的过程同时也是信号读出过程。在负载上形成的视频信号大小正比于该像元上的光照强弱。

    

 

     图7.43所示是CMOS像敏元阵列结构,它由水平MAX430EPA 移位寄存器、垂直移位寄存器和CMOS像敏元阵列组成。图7.44是CMOS摄像器件原理框图。如前所述,各MOS晶体管在水平和垂直扫描电路的脉冲驱动下起开关作用。水平移位寄存器从左至右顺次地接通起水平扫描作用的MOS晶体管,也就是寻址列的作用,垂直移位寄存器顾次地寻址阵列的各行。每个像元由光敏二极管和起垂直开关作用的MOS晶体管组成,在水平移位寄存器产生的脉冲作用下顺次接通水平开关,在垂直移位寄存器产生的脉冲作用下接通垂直开关,于是顺次给像元的光敏二极管加上参考电压(偏压)。被光照的二极管产生载流子使结电容放电,这就是积分期间信号的积累过程。而上述接通偏压的过程同时也是信号读出过程。在负载上形成的视频信号大小正比于该像元上的光照强弱。

    

 

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