BR1对交流输入进行全波整流（相对于半波）以获得良好的功率因数和THD。

   电容Cl、C2、C3和差模扼流圈Ll、L2实现EMI滤波，同时限定的总电容维持高功率因数。R125021-2该输入2-TC滤波器网络与LinkSwitch-PL的频率调制特性相结合，可使设计满足Class B干扰限值。电阻Ri和R2用于抑制EMI滤波器的谐振，避免在EMI频谱中出现谐波峰值。

   电感Ll和L2位于桥后，可避免相线与零线之间的EMI扫描失衡。这也为在输入滤波器中使用小型高压陶瓷电容提供了可能。

   电容C2是薄膜电容，可达到lOdB LN以上的设计裕量。如果EMI设计裕量要求可以放宽（<4dBUV裕量），可用X7R高压陶瓷电容替代。

   降压一升压功率转换电路由Ul（电源开关+控制）、D2（续流二极管）、C6和C7（输出电容）以及L3（电感）构成。二极管Dl用来防止Ul的漏一源极出现负电压，特别是在输入电压在接近过零点时。旁路电容C4在功率MOSFET导通时为器件提供内部屯源。

   Dl和D2是低压降二极管（肖特基），可提高效率。

   电感L3绕制结构和线规经过优化，可减小绕组间电容并降低交流损耗。

   输出电流反馈通过R3上的压降来检测，然后由低通滤波器(R4和C5)进行滤波，以维持LinkSwitch-PL的工作点，从而使反馈(FB)引脚的平均电压稳定在290mV。