电涡流形成范围
发布时间:2014/11/4 18:06:38 访问次数:2007
电涡流的径向形成范围线圈一导体系统产生的电涡流密度既是线圈与导体间距离石的函数,G4PC40K又是沿线圈半径方向r的函数。当x-定时,电涡流密度t,与半径r的关系曲线如图3-22所示。
图3-22电涡流密度I,与半径r的关系曲线
图中厶为金属导体表面电涡流密度,即电涡流密度最大值。Jr为半径r处的金属导体表面电涡流密度。由图3-22可知:
@电涡流径向形成的范围大约在传感器线圈外径r。。的1.8~2.5倍范围内,且分布木均匀。
@电涡流密度在短路环半径r =0处为零。
@电涡流的最大值在附近的一个狭窄区域内。
@可以用一个平均半径为的短路环来集中表示分散的电涡流(图中阴影部分)。
电涡流的径向形成范围线圈一导体系统产生的电涡流密度既是线圈与导体间距离石的函数,G4PC40K又是沿线圈半径方向r的函数。当x-定时,电涡流密度t,与半径r的关系曲线如图3-22所示。
图3-22电涡流密度I,与半径r的关系曲线
图中厶为金属导体表面电涡流密度,即电涡流密度最大值。Jr为半径r处的金属导体表面电涡流密度。由图3-22可知:
@电涡流径向形成的范围大约在传感器线圈外径r。。的1.8~2.5倍范围内,且分布木均匀。
@电涡流密度在短路环半径r =0处为零。
@电涡流的最大值在附近的一个狭窄区域内。
@可以用一个平均半径为的短路环来集中表示分散的电涡流(图中阴影部分)。
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