在下面的例子中，HEF4013BT将使用阻抗分析仪来测量一个金属薄膜电容器的阻抗特性，在这个电容器的表面印有“102J 630V”字样，102指的是电容的容量，单位是PF，第三位数字2表示10后加0的个数，比如上述102J可以通过下述的换算公式：10×100=1000PF;即O.OOILtF或者是InF; 102后面的字母J表示误差为+-5%或者-5%，630V指的是电容两端最大能承受的电压值，薄膜电容广泛用于高频、低频电路中。

   首先，利用NI ELVIS的DMM来测量电容的容量数值。将上述电容器的两端插入图2-45中DUT+、DUT-所对应的面包板上的插孔，因为金属薄膜电容的两个引脚没有正负之分，所以用户可以随意在DUT+、DUT-引脚上连接。完成连线后，就可为NI ELVIS实验套件上电了，以保证DMM能正确地识别外设NI ELVIS。然后启动DMM，如图2-47所示。

   为了完成对电容容量数值的测量，在图2-47中MeasurementSettings参数设置区域单击按钮，在虚拟仪器DMM的软件控制面板的Protoboard Connections文本描j苤框内，NIELVIS乜给出了测量容量时的硬件连接方法，Protoboard Connections文本描述框内的内容与图2-45中相对应、右侧的黑色箭头表示为完成某个测量功能而在原型实验板上需要连线的引脚，本例中为DUT+、DUT-。图2-47中的其它选项保持默认设置，单击Run按钮，测量结果如图2-47所示为1.002nF。

   完成了电容容量数值的测量之后，就可以开始电容的阻抗特性分析了，将金属薄膜电容继续插在DUT+、DUT-处，同时单击图2-47中的Stop按钮或者关闭DMM控制面板，然后启动阻抗分析仪Imped。因为虚拟仪器Imped和DMM都使用了NI ELVIS上的DUT+、DUT-引脚，所以只能暂停或者关闭其中一个虚拟仪器，这样才能保证另外一个虚拟仪器能够正常运行，如果虚拟仪器同时使用一个硬件模块的话将造成资源上的冲突。造成资源冲突后，NIELVIS将在虚拟仪器的控制面板中弹出如图2-48所示的对话框来提醒用户。