一次性可编程的只读存储器允许用户自己编程一次。在PROM申，常用多发射极的晶体管做存储单元，如图2-12所示，发射极上串接了可溶性金属丝，AD603AQ出厂时熔丝都是完整的，管子将位线与字选线连通，表示存有0信息（反相后为1）。用户编程时，在脉冲的作用下，使熔丝断开，便实现了对PROM的编程。由于熔丝烧断后无法恢复，所以，PROM只能实可擦除可编程的ROM简称为EPROM，用户既可以采取某种方法对这种只读存储器自行写入信息，也可以采用某种方法将信息全部擦除，而且擦除后可以重新写入新的信息。根据擦除的方法不同，EPROM可以分为两种：一种是“用紫外线擦除的EPROM”，简称为UVEPROM（Ultra Violet EPROM）；另一种是“用电擦除的EPROM”，简称为EEPROM

( Electrically EPROM)或E2PROM。

   UVEPROM

   UVEPROM的基本存储位元主要由一只浮置栅雪崩注入式MOS管(Floating gateAvalanche injection MOS，FAMOS)构成。其中，FAMOS管可以分为P沟道FAMOS管和N沟道FAMOS管两种，下面以P沟道FAMOS管为例来介绍其工作原理。

   如图2-13所示，P沟道FAMOS管有一个生长在同一基片上的源极S和漏极D，它们分别往下在基片上生长了高浓度的P型区，源极和漏极之间为绝缘的二氧化硅层，。在其间埋设了一个浮置栅。FAMOS管是通过浮置栅内有无电荷生成导电沟道而存储信息的，即浮置栅内若有屯荷，FAMOS管导通后，可表示管内存“0”，否则可表示存“l”。对于P沟道的FAMOS管，只要在源极和漏极之间加21V的高电压，便会在源漏极之间发生雪崩击穿，电荷注入到浮置栅内。高电压撤除后，浮置栅内的电荷由于受到二氧化硅的包围和无处泄漏，因而保存下来。

   对UVEPROM的擦除原理是用紫外光照射，即用高能光子将浮置栅上的电子驱逐出去，使其返回基片，相应的位由原来的0变为1状态。因此UVEPROM外壳上方的中央制作有一个圆形的石英玻璃窗口，紫外光通过窗口照进芯片内部实现片的所有单元都发生作用，所以一次擦除便实现整个芯片恢复全1状态，部分擦除是不

行的。实际擦除过程必须要将UVEPROM从系统上拆除下来，放入专用的擦除器中完成。时在保管UVEPROM芯片时，由于阳光中有紫外光的成分，为了避免EPROM的内容被无意识地擦除，应该用一种不透明的标签贴在UVEPROM的窗口上。