ROM芯片的存储单元结构和生产工艺虽然有所不同，但内部结构和RAM芯片的内部结构类似，AD5521JST主要由地址寄存嚣、地址译码器、存储阵列、码的ROM芯片内部结构如图2-10所示。

   掩膜ROM原理

   掩膜ROM的每一个基本存储单元由MOS管的有无来决定。4x4MOS型掩膜ROM如图2-11所示，在字线和位线交叉处有MOS管位存“0”，无MOS管位存“1”。两位地址AiAo译码后产生4条字（选择）线，每条字线选中一个存储单元，每个存储单元有4位，由D3～DO线输出。例如，当AiAo=lOB时，由于位线D2和Do与字线交叉处的MOS管导通，输出为0，D3和D1则与之相反，所以D3～DO=lOlOB。

   掩膜ROM的写入是由厂家在生产过程的最后一道掩膜工艺时，根据用户提出的存储内容制作一块决定MOS管连接方式的掩膜，然后把存储内容制作在芯片上，因而制作后用户绝对不能再更改所存入的信息。并且，由于掩膜的制作成本也很高，只有在大量生产定型的某种ROM产品时，才是经济适用的。