位置:51电子网 » 技术资料 » 音响技术

差模发射

发布时间:2014/4/19 17:27:33 访问次数:547

   电源正常工作时,SN74HCT125DR由开关晶体管在开关频率沿一个环路驱动一个电流,这个环路由开关晶体管、变压器和滤波电容CF组成,如图13-5所示。只要开关电流在电源内流经薅个环路,将不产生差模发射。   

   然而,电容CF的主要作用是滤波全波整流交流线黾压。因此滤波电容是一个大容量、高电压的电容(通常250~lOOOruF,额定电压250V或更高),而且远不是一个理想电容。通常有一个显著的等效串联电感(ESL)LF和等效串联电阻(ESR)RF。作为这些寄生阻抗的结果,并非所有的开关电流都流经电容C,。如图13-10所示,电容处将出现分流,一些开关电流流经电容,剩余的流经全波桥式整流器到电源线。流到电源线的开关电流是流经LISN的差模噪声电流。注意到对于差模电流,LISN看似lOOQ(两个50fl电阻的串联)。图13 -10的电路可以用一个电流发生器I,代替开关晶体管和除去桥式整流器得以简化。简化后的只显示差模传导发射电流路径的差模等效电路如图13 -11所示。

            

   从图13 -11的电路中,我们看到电源有一个由输入纹波滤波电容CF的大容量导致的低的差模源阻抗。因此,差模电流以及LISN电压都主要由寄生参数(LF和RF)和滤波电容CF的安装所确定。不合理的安装将增加与电容串联的额外电感。

   从图13 -11的电路中,我们可计算出LISN电阻两端的差模电压Vdm。在电源线频率的两倍处(100Hz或120Hz),选择电容CF为一个低阻抗;因此可假定传导发射频率处(是三次或更高的数量级)的容抗将接近于零。例如,50kHz时一个理想的250_uF电容的容抗是0.01Q。因此,在开关频率处,寄生LF和RF将是主要的阻抗。


   电源正常工作时,SN74HCT125DR由开关晶体管在开关频率沿一个环路驱动一个电流,这个环路由开关晶体管、变压器和滤波电容CF组成,如图13-5所示。只要开关电流在电源内流经薅个环路,将不产生差模发射。   

   然而,电容CF的主要作用是滤波全波整流交流线黾压。因此滤波电容是一个大容量、高电压的电容(通常250~lOOOruF,额定电压250V或更高),而且远不是一个理想电容。通常有一个显著的等效串联电感(ESL)LF和等效串联电阻(ESR)RF。作为这些寄生阻抗的结果,并非所有的开关电流都流经电容C,。如图13-10所示,电容处将出现分流,一些开关电流流经电容,剩余的流经全波桥式整流器到电源线。流到电源线的开关电流是流经LISN的差模噪声电流。注意到对于差模电流,LISN看似lOOQ(两个50fl电阻的串联)。图13 -10的电路可以用一个电流发生器I,代替开关晶体管和除去桥式整流器得以简化。简化后的只显示差模传导发射电流路径的差模等效电路如图13 -11所示。

            

   从图13 -11的电路中,我们看到电源有一个由输入纹波滤波电容CF的大容量导致的低的差模源阻抗。因此,差模电流以及LISN电压都主要由寄生参数(LF和RF)和滤波电容CF的安装所确定。不合理的安装将增加与电容串联的额外电感。

   从图13 -11的电路中,我们可计算出LISN电阻两端的差模电压Vdm。在电源线频率的两倍处(100Hz或120Hz),选择电容CF为一个低阻抗;因此可假定传导发射频率处(是三次或更高的数量级)的容抗将接近于零。例如,50kHz时一个理想的250_uF电容的容抗是0.01Q。因此,在开关频率处,寄生LF和RF将是主要的阻抗。


上一篇:共模发射

上一篇:滤波电容的ESR的影响

相关技术资料
4-19差模发射

热门点击

 

推荐技术资料

基准电压的提供
    开始的时候,想使用LM385作为基准,HIN202EC... [详细]
版权所有:51dzw.COM
深圳服务热线:13751165337  13692101218
粤ICP备09112631号-6(miitbeian.gov.cn)
公网安备44030402000607
深圳市碧威特网络技术有限公司
付款方式


 复制成功!