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共模发射

发布时间:2014/4/19 17:25:13 访问次数:612

   共模发射的主要贡献者是初缀侧对地的寄生电容。对这个电容有贡献的三部分如图13-6所示,是开关晶体管对散热器的电容、变压器的绕组间电容以及初级侧杂散配线电容。

   最大的单一贡献通常来自开关晶体管对散热器的电容。这个电容可通过以下方法来减小:(1)在晶体管和散热器之间用一个包含法拉第屏蔽的绝缘热垫圈;(2)用一个厚的陶瓷垫圈(例如氧化铍);(3)散热器不接地。SN74HCT08PWR法拉第屏蔽绝缘热垫圈由一个铜屏蔽层在两个薄的绝缘材料层之间组成。为了有效,铜屏蔽层必须与开关晶体管的源极相连。对于双极开关晶体管,铜屏蔽层应与发射极相连。有几个供应商生产含法拉第屏蔽的热垫圈。

   如果散热器是电浮点接地的,为了安全必须防止任何人接触散热器。出事故时,在开关晶体管和散热器之间的绝缘热垫圈会失效,散热片将具有交流线的电位,有电击穿的危险。

   对这个寄生电容的第二个贡献来自变压器的绕组间的电容。因为设计者想要体积小的变压器,初级和次级绕组设置得要靠近在一起,这将使绕组间电容最大化。使线圈分开的远一些的变压器或包含一个法拉第屏蔽的变压器可减小这个电容。有法拉第屏蔽的变压器的缺点是会增加成本和可能增加体积。

   仔细的元件布局,包括仔细的布线和(或)印制电路板(PCB)的设计,可使第三个贡献即初级配线电容最小化。

   增加LISN’,重画图13-6所示的电路,表示出共模传导发射路径得到如图13-7历示的电路。注意共模电流,LISN阻抗看似25Q,即两个50Q电阻的并联。通过将开关晶体管表示为一个峰值幅度等于滤波器电容CF两端的直流电压的方波电压发生器可使图13-7的电路大为简化。SMPS简化的共模等效电路如图13-8所示。

         


   共模发射的主要贡献者是初缀侧对地的寄生电容。对这个电容有贡献的三部分如图13-6所示,是开关晶体管对散热器的电容、变压器的绕组间电容以及初级侧杂散配线电容。

   最大的单一贡献通常来自开关晶体管对散热器的电容。这个电容可通过以下方法来减小:(1)在晶体管和散热器之间用一个包含法拉第屏蔽的绝缘热垫圈;(2)用一个厚的陶瓷垫圈(例如氧化铍);(3)散热器不接地。SN74HCT08PWR法拉第屏蔽绝缘热垫圈由一个铜屏蔽层在两个薄的绝缘材料层之间组成。为了有效,铜屏蔽层必须与开关晶体管的源极相连。对于双极开关晶体管,铜屏蔽层应与发射极相连。有几个供应商生产含法拉第屏蔽的热垫圈。

   如果散热器是电浮点接地的,为了安全必须防止任何人接触散热器。出事故时,在开关晶体管和散热器之间的绝缘热垫圈会失效,散热片将具有交流线的电位,有电击穿的危险。

   对这个寄生电容的第二个贡献来自变压器的绕组间的电容。因为设计者想要体积小的变压器,初级和次级绕组设置得要靠近在一起,这将使绕组间电容最大化。使线圈分开的远一些的变压器或包含一个法拉第屏蔽的变压器可减小这个电容。有法拉第屏蔽的变压器的缺点是会增加成本和可能增加体积。

   仔细的元件布局,包括仔细的布线和(或)印制电路板(PCB)的设计,可使第三个贡献即初级配线电容最小化。

   增加LISN’,重画图13-6所示的电路,表示出共模传导发射路径得到如图13-7历示的电路。注意共模电流,LISN阻抗看似25Q,即两个50Q电阻的并联。通过将开关晶体管表示为一个峰值幅度等于滤波器电容CF两端的直流电压的方波电压发生器可使图13-7的电路大为简化。SMPS简化的共模等效电路如图13-8所示。

         


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4-19共模发射

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