对于磁场， MAX6241ACSA总的损耗是吸收损耗(式(6-13》和反射损耗(式(6-29》之和，如式(6-8)所示。如果屏蔽层较厚(吸收损耗>9dB)，多重反射修正因子B可以被忽略。如果屏蔽层较薄，式(6-31)或图6-15中必须考虑修正因子。

   在近场，低频磁场的反射损耗很小。由于多重反射，这种影响在薄屏蔽层内更显著。磁场的主要损耗是吸收损耗。因为在低频，吸收损耗和反射损耗都很小，总的屏蔽效能很低。因此，低频磁场很难屏蔽。低频磁场的防护措施是通过低磁阻的磁分流路径来分流被保护电路周围的场，这种方法如图6 - 17所示。

   图6-17磁性材料用于屏蔽为磁场提供低磁阻磁路，在屏蔽区周围分流磁场

   图6 -18显示了0.02in厚的完整铝屏蔽层对于电场、平面波和磁场的屏蔽效能。由图可以看出，除了低频磁场外都有很好的屏蔽效能。