以下各节讨论近区及远区场的屏蔽效能。LM385BZ-2.5屏蔽效能可以用许多不同的方法分析，一种方法是使用如图6-5所示的电路理论。在电路理论方法中，在屏蔽体中入射场感应产生电流，这些电流反过来产生附加的场，在某些空间区域抵消了原来的场。当处理孑L隙问题时我们将会使用这种方法。

   图6-5非磁性材料可以提供磁屏蔽。入射磁场在导体中感应电流，产生一个反向场抵消屏蔽层封闭的空间区域内的入射场然而，对于这一章的大部分内容，我们使用由S．A.  Schelkunoff (1943，pp. 303-312)首先提出的方法。Schelkunoff的方法是将屏蔽作为一个有损耗和反射的传输线问题。损耗是屏蔽体内产生热量的结果，反射是入射波阻抗和屏蔽体阻抗不同造成的。

   屏蔽效能可以用由屏蔽造成磁场强度和（或）电场强度的减少量来描述。以dB’为单位表达屏蔽效能很方便，使用dB允许不同的屏蔽产生的屏蔽效能相加获得总的屏蔽效能。电的屏蔽效能(S)定义，在上述的方程中，E。(H。)是入射场强，而E．(H．)是穿过屏蔽后传输波的场强。

   在屏蔽罩的设计中，主要考虑两点：①屏蔽材料本身的屏蔽效能；②由屏蔽的不连续性

   和屏蔽体上的孔隙造成的屏蔽效能。这两点在这一章中分别讨论。

   首先，考虑无接缝或孔隙的完整屏蔽罩的屏蔽效能，然后再考虑不连续性和孔隙的影响。在高频段，孔隙的屏蔽效能决定一个屏蔽体的总屏蔽效能，而不是屏蔽材料固有的屏蔽效能决定的。

   屏蔽效能随频率、屏蔽体的几何形状、屏蔽体内场测量点的位置、场衰减的类型、入射角和极化等因紊变化。本节将考虑导电材料平板的屏蔽效果。这种简单的几何形状可以用来介绍一般的屏蔽概念，表明哪种材料特性决定了屏蔽效果，但这不包括屏蔽体几何形状的影响a平板计算的结果对于估计不同材料的相对屏蔽效果是有用的。

   电磁波入射到金属的表面时，有两种类型的损耗。电磁波部分的从表面反射回来，而波的传输（非反射）部分穿过屏蔽体时被衰减。这后面的效果被称为吸收或穿透损耗，它对于近场或者远场，还是磁场或电场都是相同的。然而，反射损耗取决于场的类型和波阻抗。