管状电容器上的色带表示连接到的外部金属箔的导线，ADG506AKP这个导线应接地云母和陶瓷电容器的串联电阻和电感低，所以是高频电容器，如果导线很短，频率高达500MHz。一些表面安装电容器可用在GHz频段。这些电容器通常用在射频(RF)电路，用于滤波、旁路、耦合、定时和鉴频以及高速数字电路中的去耦合。除了高K陶瓷电容器、通常它们对于时间、温度和电压性能很稳定。

   陶瓷电容器用在高频电路已将近100年，最初的陶瓷电容器是“圆片电容器”。然而，由于近几十年来陶瓷电容器技术的长足发展，现在陶瓷电容器有许多不同的样式、形状和尺寸，它们是高频电容器的“主力军”。

   云母介电常数低，因此，相对于电容值，云母电容器寸大些。综合陶瓷电容器技术的巨大进步和云姆电容器的低电容体积比性能，在许多低压、高频应用r；陶瓷电容器代替了云母电容器。由于云母的介质击穿电压高，通常达到千伏量缀，云母电容器仍用在许多高压射频领域，例如无线电发射机中。

   多层陶瓷电容器( MLCCs)由多层陶瓷材料组成，通常是钛酸钡介质，用交叉的金属电极分隔，如图5-5所示，连接电极被做到结构的终端，这种结构等效于把许多电容*Mylar是DuPont注册的商标，Wilmungton,DE。器并联。一些MLCCs有几百层陶瓷，每一层仅有几微米厚。

   这种结构的优点是可以加倍每一层的电容，总电容值等于每层的电容值乘以层数，同时分割了每一层的电感，总的电感值等于每层的电感值除以层数。多层结构的电容器结合表面贴装技术可以产生几乎理想的高频电容器。一些小值(例如几十pF)表面贴装的MLCCs在若干吉赫频率范围内可能还有自谐振。

   大部分MLCCs的电容值是lplF或更低，额定电压值50V或更低。额定电压值受限于小的层间隙。然而，间隙小层数多相结合，制造商可以制造出10～lOOtiF的大电容值的MLCC。MLCCs是优异的高频电容器，通常用在高频滤波以及数字逻辑去耦合。

   高K陶瓷电容器是唯一的中频电容器，它们的性能相对于时间、温度和频率不稳定。和标准陶瓷电容器相比，高K陶瓷电容器最主要的优点是电容体积比大，它们通常用于非关键部分的旁路、耦合和隔离。高K陶瓷电容器另一个缺点是电压瞬变可能损坏。因此，不推荐作为旁路电容器直接跨接在低阻抗电源上。