(1)N沟道结型场效应管结构

   下面以N沟道结型场效应管为例来介绍场WKSM016-1501效应管的结构和工作原理。图8-3是N沟道结型场效应管的结构示意图及符号。

   由图8-3可以看出，N沟道结型场效应管源极与漏极以N型半导体沟道连接，栅极是P型半导体，分别由接点接到外围电路。场效应管工作时，需要外加偏置电压，如图8-4所示。

   图8-3 N沟道结型场效应管的结构示意图及符号  图8-4场效应管工作偏压电路

   场效应管工作时对偏置电压的要求如下：

   栅一源极间加一个负电压( Uas<0)，这样可以使栅一源极间的PN结反偏，栅极电流尼。0，场效应管呈现很高的输入电阻（高达l08Q左右）。

   在上述两个电源的作用下，为的大小主要受栅一源电压Ucs控制，同时也受漏一源电压UDS的影响。

   (2) Ucs对iD昀控制作用

   图8-5所示电路说明了Ucs对沟道电阻的控制作用。为便于讨论，先假设漏一源极间所加的电压UDS=O。

   图8-5  Uos对沟道电阻的控制作用示意图