场效应管分结型、绝缘栅型两大类。WS128K3220G2UQ结型场效应管(JFET)因有两个PN结而得名；绝缘栅型场效应管(JGFET)则因栅极（闸极）与其他电极完全绝缘而得名。结型场效应管分为N沟道和P沟道两种；绝缘栅型场效应管除有N沟道和P沟道之分外，还有增强型与耗尽型之分。场效应管分类如图8-1所示。

   目前在场效应管中，应用最为广泛的是绝缘栅型场

场效应管和复合晶体管效应管，简称MOS管或MOSFET（即金属一氧化物一半

导体场效应管），此外还有PMOS、NMOS和VMOS功率场效应管及VMOS功率模块等。

     P沟道场效应管的工作原理与N沟道场效应管完全相同，只不过导电的载流子不同，供电电压极性不同，这如同双极型三极管有NPN型和PNP型一样，对于结型场效应管而言，漏极和源极可以互换。

   结型场效应管栅源极间的电阻虽然可达10 7以上，但在某些场合仍不够高。在高温下，PN结的反向电流增大，栅一源极间的电阻会显著下降：栅一源极间的PN结加正向电压时，将出现较大的栅极（闸板）电流。而绝缘栅型场效应管可以很好地解决这些问题。

    场效应管的构造、原理与特性

   场效应管和普通三极簪一样都有三只引脚，控制引脚称为栅极（Gate，简称G极）。栅极控制的导电沟一端称为源极（Source，简称s极），另一端称为漏极（Drain，简称D极），如图8-2所示。