日本半导体分立器件
发布时间:2014/1/30 19:33:36 访问次数:622
表示军用品。表示三G13N60UFD极管。表示EIA注册标志。表示EIA登记顺序号。
美国晶体管型号命名法的特点:
型号命名法规定较早,又未作过改进,型号内容很不完备。例如,对于材料、极性、主要特性和类型,在型号中不能反映出来。又如,2N开头的既可能是一般晶体管,也可能是场效应管。因此,仍有一些厂家按自己规定的型号命名法命名。
组成型号的第1部分是前缀,第5部分是后缀,中间的3个部分为型号的基本部分。
除去前缀以外,凡型号以1N、2N、3N--开头的晶体管分立器件,大都是美国制造的,或按美国专利在其他国冢制造的产品。
第4部分数字只表示登记序号,而不含有其他意义。因此,序号相邻的两器件可能特性相差很大。例如,2N3464为硅材料NPN、高频大功率管,而2N3465为N沟道场效应管。
不同厂家生产的性能基本一致的器件,都使用同一个登记号。同一型号中某些参数的差异常用后缀字母表示。因此,型号相同的器件可以通用。
登记号数大的通常是近期产品。
日本半导体器件型号命名法。日本半导体分立器件(包括晶体管)或其他国家按日本专利生产的这类器件,都是按日本工业标准(JIS)规定的命名法(JIS-C-702)命名的。
日本半导体分立器件的型号,由5至7部分组成。通常只用到前5部分。而前5部分符号及意义见表1.7。第6、第7部分的符号及意义通常是各公司自行规定的。第6部分的符号表示特殊的用途及特性,其常用的符号如下:
M——Ak-F公司用来表示该器件符合日本防卫厅海上自卫队参谋部有关标准的登记产品。
N——Ak下公司用来表示该器件符合日本广播协会(NHK)有关标准的登记产品。
Z-松下公司用来表示专为通信用的可靠性高的器件。
H-日立公司用来表示专为通信用的可靠性高的器件。
K-日立公司用来表示专为通信用的塑料外壳的可靠性高的器件。
T-日立公司用来表示收发报机用的推荐产品。
G-东芝公司用来表示专为通信用的设备制造的器件。
S-三洋公司用来表示专为通信设备制造的器件。
第七部分的符号,常用来作为器件某个参数的分挡标志。例如,三菱公司常用R、G、Y等字母;日立公司常用A、B、C、D等字母,作为直流放大系数hfe的分挡标志。
表示军用品。表示三G13N60UFD极管。表示EIA注册标志。表示EIA登记顺序号。
美国晶体管型号命名法的特点:
型号命名法规定较早,又未作过改进,型号内容很不完备。例如,对于材料、极性、主要特性和类型,在型号中不能反映出来。又如,2N开头的既可能是一般晶体管,也可能是场效应管。因此,仍有一些厂家按自己规定的型号命名法命名。
组成型号的第1部分是前缀,第5部分是后缀,中间的3个部分为型号的基本部分。
除去前缀以外,凡型号以1N、2N、3N--开头的晶体管分立器件,大都是美国制造的,或按美国专利在其他国冢制造的产品。
第4部分数字只表示登记序号,而不含有其他意义。因此,序号相邻的两器件可能特性相差很大。例如,2N3464为硅材料NPN、高频大功率管,而2N3465为N沟道场效应管。
不同厂家生产的性能基本一致的器件,都使用同一个登记号。同一型号中某些参数的差异常用后缀字母表示。因此,型号相同的器件可以通用。
登记号数大的通常是近期产品。
日本半导体器件型号命名法。日本半导体分立器件(包括晶体管)或其他国家按日本专利生产的这类器件,都是按日本工业标准(JIS)规定的命名法(JIS-C-702)命名的。
日本半导体分立器件的型号,由5至7部分组成。通常只用到前5部分。而前5部分符号及意义见表1.7。第6、第7部分的符号及意义通常是各公司自行规定的。第6部分的符号表示特殊的用途及特性,其常用的符号如下:
M——Ak-F公司用来表示该器件符合日本防卫厅海上自卫队参谋部有关标准的登记产品。
N——Ak下公司用来表示该器件符合日本广播协会(NHK)有关标准的登记产品。
Z-松下公司用来表示专为通信用的可靠性高的器件。
H-日立公司用来表示专为通信用的可靠性高的器件。
K-日立公司用来表示专为通信用的塑料外壳的可靠性高的器件。
T-日立公司用来表示收发报机用的推荐产品。
G-东芝公司用来表示专为通信用的设备制造的器件。
S-三洋公司用来表示专为通信设备制造的器件。
第七部分的符号,常用来作为器件某个参数的分挡标志。例如,三菱公司常用R、G、Y等字母;日立公司常用A、B、C、D等字母,作为直流放大系数hfe的分挡标志。
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