美国半导件器件命名法
发布时间:2014/1/30 19:04:47 访问次数:632
表示AF293型某一参数的S挡。国际电子F1212S-1W联合会晶体管型号命名法的特点:
这种命名法被欧洲许多国家采用。因此,凡型号以两个字母开头,并且第1个字母是A、B、C、D或R的晶体管,大都是欧洲制造的产品,或是按欧洲某一厂家专利生产的。
第1个字母表示材料(A表示锗管,B表示硅管),但不表示极性(NPN型或PNP型)。
第2个字母表示器件的类别和主要特点,如:C表示低频小功率管,D表示低频大功率管,F表示高频小功率管,L表示高频大功率管,等等。若记住这些字母的意义,不查手册也可以判断出类别,如BIA9型,便知是硅大功率专用三极管。
第3部分表示登记号。3位数字者为通用品,一个字母加两位数字者为专用品,序号相邻的两个型号的特性可能相差很大。例如,AC184为PNP型,而AC185则为NPN型。
第4部分字母表示同一型号的某一参数(如hfe或Nf)进行分挡。
型号中的符号均不反映器件的极性(指PNP或PNP)。极性的确定需查阅手册或测量。
美国半导件器件命名法。美国晶体管或其他半导体器件的型号命名法较混乱。这里介绍的是美国晶体管标准型号命名法,即美国电子工业协会(EU)规定的晶体管分立器件型号的命名法,见表1.6。
表示AF293型某一参数的S挡。国际电子F1212S-1W联合会晶体管型号命名法的特点:
这种命名法被欧洲许多国家采用。因此,凡型号以两个字母开头,并且第1个字母是A、B、C、D或R的晶体管,大都是欧洲制造的产品,或是按欧洲某一厂家专利生产的。
第1个字母表示材料(A表示锗管,B表示硅管),但不表示极性(NPN型或PNP型)。
第2个字母表示器件的类别和主要特点,如:C表示低频小功率管,D表示低频大功率管,F表示高频小功率管,L表示高频大功率管,等等。若记住这些字母的意义,不查手册也可以判断出类别,如BIA9型,便知是硅大功率专用三极管。
第3部分表示登记号。3位数字者为通用品,一个字母加两位数字者为专用品,序号相邻的两个型号的特性可能相差很大。例如,AC184为PNP型,而AC185则为NPN型。
第4部分字母表示同一型号的某一参数(如hfe或Nf)进行分挡。
型号中的符号均不反映器件的极性(指PNP或PNP)。极性的确定需查阅手册或测量。
美国半导件器件命名法。美国晶体管或其他半导体器件的型号命名法较混乱。这里介绍的是美国晶体管标准型号命名法,即美国电子工业协会(EU)规定的晶体管分立器件型号的命名法,见表1.6。