(1)N沟道结型场效应管结构

    下面以N沟道结型场效应管为例来介绍TY8A0A111360KA40场效应管的结构和工作原理。图8-3是N沟道结型场效应管的结构示意图及符号。

     由图8-3可以看出，N沟道结型场效应管源极与漏极以N型半导体沟道连接，栅极是P型半导体，分别由接点接到外围电路。场效应管工作时，需要外加偏置电压，如图8-4所示。

   图8-3 N沟道结型场效应管的结构示意图及符号  图8-4场效应管工作偏压电路

   场效应管工作时对偏置电压的要求如下：

   栅一源极间加一个负电压( Uas<0)，这样可以使栅一源极间的PN结反偏，栅极电流尼。0，场效应管呈现很高的输入电阻（高达l08Q左右）。

   在上述两个电源的作用下，为的大小主要受栅一源电压Ucs控制，同时也受漏一源电压UDS的影响。

     (2) Ucs对iD昀控制作用

     图8-5所示电路说明了Ucs对沟道电阻的控制作用。为便于讨论，先假设漏一源极间所加的电压UDS=O。

    图8-5  Uos对沟道电阻的控制作用示意图

    当UoS=O时，沟道最宽，其电阻最小。

     当Uos<0，且其大小增加时，在这个反偏电压的作用下，两个PN结耗尽层将加宽。由于N区掺杂浓度小于P+区，因此，随着IUG。I的增加，耗尽层将主要向N沟道中扩展，使沟道变窄，沟道电阻增大。

     当IUG。I进一步增大到IUPI时，两侧的耗尽层将在沟道中央合拢，沟道全都被夹断。由于耗尽层中没有载流子，因此漏一源极间的电阻将趋于无穷大，即使加上一定的电压UDS，漏极电流fD也将为零。这时的栅一源电压Ucs被称为夹断电压，用UP表示。

   上述分析表明：改变栅源电压UGS的大小，可以有效地控制沟道电阻的大小；若同时在漏一源极间加上固定的正向电压UD。，则漏极电流fD将受Ucs的控制，IUG。I增大时，沟道电阻增大，fD减小。