极限参数
发布时间:2013/12/27 20:02:03 访问次数:978
极限参数
三极管的极限参数包括集电极最大电流:M、最大反向电压、反向电流和耗散功率。
(1)集电极最大电流,cM是指三极管集电极所允许通过的最大电流。当三极管的集电极电流,c超过,cM时,QP7C271-35WMB三极管的∥值等参数将发生明显变化,影响其正常工作,甚至还会损坏。因此,在实际使用中必须使。例如,S9011的集电极最大电流/CM为30mA,S9012的集电极最大电流/CM为500mA,2SB337的集电极最大电流/C,M为7A。
(2)最大反向电压是指晶体管在工作时所允许施加的最高工作电压。它包括集电极一发射极反向击穿电压、集电极一基极反向击穿电压和发射极一基极反向击穿电压。集电极一发射极反向击穿电压是指当晶体管基极开路时,其集电极与发射极之间的最大允许反向电压,一般用UCo或BUco表示;集电极一基极反向击穿电压是指当晶体管发射极开路时,其集电极与基极之间的最大允许反向电压,用UC,o或BUc。o表示;发射极一基极反向击穿电压是指当晶体管的集电极开路时,其发射极与基极之间的最大允许反向电压,用Uo或BUo表示。例如,S9015的最大反向电压为45V,S9018的最大反向电压BU为15V。
(3)三极管的反向电流包括其集电极一基极之间的反向电流,co和集电极一发射极之间的反向击穿电流,co。集电极一基极之间的反向电流,co也称为集电结反向漏电电流,是指当晶体管的发射极开路时,集电极与基极之间的反向电流。,co对温度较敏感,该值越小,说明晶体管的温度特性越好;集电极一发射极之间的反向击穿电流,co是指当三极管的基极开路时,其集电极与发射极之间的反向漏电电流,也称为穿透电流。此电流值越小,说明晶体管的性能越好。
(4)耗散功率也称为集电极最大允许耗散功率PCM,是指三极管参数变化不超过规定允许值时的最大集电极耗散功率。耗散功率与三极管的最高允许结温和集电极最大电流有密切关系。三极管在使用时,其实际功耗不允许超过PCM值,否则会造成晶体管因过载而损坏。通常将耗散功率PCM小于1W的晶体管称为小功率晶体管,将PCM等于或大于1W、小于5W的晶体管称为中功率晶体管,将PCM等于或大于5W的晶体管称为大功率晶体管。例如,S9012的PCM为625mW,2SB556K的PCM为40W。
极限参数
三极管的极限参数包括集电极最大电流:M、最大反向电压、反向电流和耗散功率。
(1)集电极最大电流,cM是指三极管集电极所允许通过的最大电流。当三极管的集电极电流,c超过,cM时,QP7C271-35WMB三极管的∥值等参数将发生明显变化,影响其正常工作,甚至还会损坏。因此,在实际使用中必须使。例如,S9011的集电极最大电流/CM为30mA,S9012的集电极最大电流/CM为500mA,2SB337的集电极最大电流/C,M为7A。
(2)最大反向电压是指晶体管在工作时所允许施加的最高工作电压。它包括集电极一发射极反向击穿电压、集电极一基极反向击穿电压和发射极一基极反向击穿电压。集电极一发射极反向击穿电压是指当晶体管基极开路时,其集电极与发射极之间的最大允许反向电压,一般用UCo或BUco表示;集电极一基极反向击穿电压是指当晶体管发射极开路时,其集电极与基极之间的最大允许反向电压,用UC,o或BUc。o表示;发射极一基极反向击穿电压是指当晶体管的集电极开路时,其发射极与基极之间的最大允许反向电压,用Uo或BUo表示。例如,S9015的最大反向电压为45V,S9018的最大反向电压BU为15V。
(3)三极管的反向电流包括其集电极一基极之间的反向电流,co和集电极一发射极之间的反向击穿电流,co。集电极一基极之间的反向电流,co也称为集电结反向漏电电流,是指当晶体管的发射极开路时,集电极与基极之间的反向电流。,co对温度较敏感,该值越小,说明晶体管的温度特性越好;集电极一发射极之间的反向击穿电流,co是指当三极管的基极开路时,其集电极与发射极之间的反向漏电电流,也称为穿透电流。此电流值越小,说明晶体管的性能越好。
(4)耗散功率也称为集电极最大允许耗散功率PCM,是指三极管参数变化不超过规定允许值时的最大集电极耗散功率。耗散功率与三极管的最高允许结温和集电极最大电流有密切关系。三极管在使用时,其实际功耗不允许超过PCM值,否则会造成晶体管因过载而损坏。通常将耗散功率PCM小于1W的晶体管称为小功率晶体管,将PCM等于或大于1W、小于5W的晶体管称为中功率晶体管,将PCM等于或大于5W的晶体管称为大功率晶体管。例如,S9012的PCM为625mW,2SB556K的PCM为40W。
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