如果取一块硅，在其一半中用三价杂质掺杂、在另一半中用五价杂质掺杂，RB550VA-30 TR则在半导体的n型部分和p型部分之间的形成一个称为pn结(pn junction)的分界面，从而构成一个半导体二极管。
    在学完本节后，应该能够说明二极管的特性和偏置：
    ①给出pn结的定义。
    ②讨论二极管中的耗尽区。
    ③给出阻挡层（势垒）电位的定义。
    ④讨论正向偏置。
    ⑤讨论反向偏置。
    ⑥给出反向击穿的定义。
    在平衡状态，二极管中没有电子的运动（电流）。二极管的主要用途是通过偏置只允许其电流在一个方向上流动。在电子学中，偏置( bias)指的是利用直流电压给电子器件建立一定的工作条件。对于二极管而言，实际上有两种偏置：正向偏置和反向偏置。这两种情况都是通过在pn结上加一个适当极性的足够大的外部电压产生的。
   二极管中耗尽区酌形成
    如图16.10所示，二极管是由被一个pn结分开的n区和p区组成的。n区中具有许多导电电子，而p区中有许多空穴。没有外加电压时，n区的导电电子在任意方向上随机漂移。在pn结形成的瞬间，pn结附近的一些电子漂移到p区，与pn结附近的空穴相复合，如图16.lO(a)所示。