变容二极管
发布时间:2013/11/2 17:19:04 访问次数:590
有一类叫做变容二极管的专用二极管，就是利用耗尽区电容进行工作的。RB551V-30它用作一个可调电容器，电容的大小靠反向偏压进行控制。通过增加或减小反向偏压的大小，就可以增加或减小电容的容值。
正如已经学过的，当加反向偏压时，多数载流子电流很快变为0。不过，在反向偏置期间，仍有由少数载流子产生的一个非常小的电流。该电流的典型值在肛A或nA量级。在耗尽区中存在相对少量的由热激发产生的电子一空穴对。在外加电压的影响下，有些电子在复合之前就设法通过pn结扩散。该过程在整个材料中建立起一个很小的少数载流子电流。
反向电流主要取决于pn结的温度，而与反向偏压的大小无关。温度增加导致反向电流增加。
如果外加反向偏压增加到足够大的值，就会发生反向击穿( Reverse Breakdown)。反向击穿的过程如下：假设导带多数载流子从外加电源获得足够的能量，使其加速到朝着二极管的正端运动。在运动中，它与1个原子发生碰撞，并用足够的能量将1个价电子撞人导带。现在，导带内就有了2个电子。每个电子又将分别与2个原子相碰撞，再将2个价电子撞入导带内。这时导带内就有了4个电子，它们又转而将另外4个价电子撞入导带内。这种导带电子的迅速倍增称为雪崩效应( avalanche effect)，它导致反向电流的快速建立。
一般情况下，大多数二极管都不会工作在反向击穿状态，如果发生反向击穿，二极管会被毁坏。不过，有一种叫做齐纳二极管（将在16.6节讨论）的专用二极管却是为工作在反向击穿状态而专门设计的。
二极管的特性
正如在上一节刚学过的，二极管是利用单- pn结制作而成的一种半导体器件。当给二极管加正向偏置、且偏置电压超过势垒电位时，二极管导通，产生电流。当给二极管加小于击穿电压的反向偏置时，二极管不产生电流。
在学完本节后，应该能够说明基本二极管的特性：
①解释二极管的弘J特性。
②认识标准二极管的电路符号。
③用欧姆计对二极管进行测试。
④说明二极管的三种近似模型。
正如已经学过的，当加反向偏压时，多数载流子电流很快变为0。不过，在反向偏置期间，仍有由少数载流子产生的一个非常小的电流。该电流的典型值在肛A或nA量级。在耗尽区中存在相对少量的由热激发产生的电子一空穴对。在外加电压的影响下，有些电子在复合之前就设法通过pn结扩散。该过程在整个材料中建立起一个很小的少数载流子电流。
反向电流主要取决于pn结的温度，而与反向偏压的大小无关。温度增加导致反向电流增加。
如果外加反向偏压增加到足够大的值，就会发生反向击穿( Reverse Breakdown)。反向击穿的过程如下：假设导带多数载流子从外加电源获得足够的能量，使其加速到朝着二极管的正端运动。在运动中，它与1个原子发生碰撞，并用足够的能量将1个价电子撞人导带。现在，导带内就有了2个电子。每个电子又将分别与2个原子相碰撞，再将2个价电子撞入导带内。这时导带内就有了4个电子，它们又转而将另外4个价电子撞入导带内。这种导带电子的迅速倍增称为雪崩效应( avalanche effect)，它导致反向电流的快速建立。
一般情况下，大多数二极管都不会工作在反向击穿状态，如果发生反向击穿，二极管会被毁坏。不过，有一种叫做齐纳二极管（将在16.6节讨论）的专用二极管却是为工作在反向击穿状态而专门设计的。
二极管的特性
正如在上一节刚学过的，二极管是利用单- pn结制作而成的一种半导体器件。当给二极管加正向偏置、且偏置电压超过势垒电位时，二极管导通，产生电流。当给二极管加小于击穿电压的反向偏置时，二极管不产生电流。
在学完本节后，应该能够说明基本二极管的特性：
①解释二极管的弘J特性。
②认识标准二极管的电路符号。
③用欧姆计对二极管进行测试。
④说明二极管的三种近似模型。
有一类叫做变容二极管的专用二极管，就是利用耗尽区电容进行工作的。RB551V-30它用作一个可调电容器，电容的大小靠反向偏压进行控制。通过增加或减小反向偏压的大小，就可以增加或减小电容的容值。
正如已经学过的，当加反向偏压时，多数载流子电流很快变为0。不过，在反向偏置期间，仍有由少数载流子产生的一个非常小的电流。该电流的典型值在肛A或nA量级。在耗尽区中存在相对少量的由热激发产生的电子一空穴对。在外加电压的影响下，有些电子在复合之前就设法通过pn结扩散。该过程在整个材料中建立起一个很小的少数载流子电流。
反向电流主要取决于pn结的温度，而与反向偏压的大小无关。温度增加导致反向电流增加。
如果外加反向偏压增加到足够大的值，就会发生反向击穿( Reverse Breakdown)。反向击穿的过程如下：假设导带多数载流子从外加电源获得足够的能量，使其加速到朝着二极管的正端运动。在运动中，它与1个原子发生碰撞，并用足够的能量将1个价电子撞人导带。现在，导带内就有了2个电子。每个电子又将分别与2个原子相碰撞，再将2个价电子撞入导带内。这时导带内就有了4个电子，它们又转而将另外4个价电子撞入导带内。这种导带电子的迅速倍增称为雪崩效应( avalanche effect)，它导致反向电流的快速建立。
一般情况下，大多数二极管都不会工作在反向击穿状态，如果发生反向击穿，二极管会被毁坏。不过，有一种叫做齐纳二极管（将在16.6节讨论）的专用二极管却是为工作在反向击穿状态而专门设计的。
二极管的特性
正如在上一节刚学过的，二极管是利用单- pn结制作而成的一种半导体器件。当给二极管加正向偏置、且偏置电压超过势垒电位时，二极管导通，产生电流。当给二极管加小于击穿电压的反向偏置时，二极管不产生电流。
在学完本节后，应该能够说明基本二极管的特性：
①解释二极管的弘J特性。
②认识标准二极管的电路符号。
③用欧姆计对二极管进行测试。
④说明二极管的三种近似模型。
正如已经学过的，当加反向偏压时，多数载流子电流很快变为0。不过，在反向偏置期间，仍有由少数载流子产生的一个非常小的电流。该电流的典型值在肛A或nA量级。在耗尽区中存在相对少量的由热激发产生的电子一空穴对。在外加电压的影响下，有些电子在复合之前就设法通过pn结扩散。该过程在整个材料中建立起一个很小的少数载流子电流。
反向电流主要取决于pn结的温度，而与反向偏压的大小无关。温度增加导致反向电流增加。
如果外加反向偏压增加到足够大的值，就会发生反向击穿( Reverse Breakdown)。反向击穿的过程如下：假设导带多数载流子从外加电源获得足够的能量，使其加速到朝着二极管的正端运动。在运动中，它与1个原子发生碰撞，并用足够的能量将1个价电子撞人导带。现在，导带内就有了2个电子。每个电子又将分别与2个原子相碰撞，再将2个价电子撞入导带内。这时导带内就有了4个电子，它们又转而将另外4个价电子撞入导带内。这种导带电子的迅速倍增称为雪崩效应( avalanche effect)，它导致反向电流的快速建立。
一般情况下，大多数二极管都不会工作在反向击穿状态，如果发生反向击穿，二极管会被毁坏。不过，有一种叫做齐纳二极管（将在16.6节讨论）的专用二极管却是为工作在反向击穿状态而专门设计的。
二极管的特性
正如在上一节刚学过的，二极管是利用单- pn结制作而成的一种半导体器件。当给二极管加正向偏置、且偏置电压超过势垒电位时，二极管导通，产生电流。当给二极管加小于击穿电压的反向偏置时，二极管不产生电流。
在学完本节后，应该能够说明基本二极管的特性：
①解释二极管的弘J特性。
②认识标准二极管的电路符号。
③用欧姆计对二极管进行测试。
④说明二极管的三种近似模型。
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