图16.3给出了只有未激发原子（没有外加能量，如加热）的硅晶体的能带示意图。RB521CS-30 T2R该情况仅出现于绝对零度的温度下。
    室温下的所有本征（纯净）硅晶体都具有足够的热能，供一些共价电子跳过能隙从价电子带进入导带，变为自由电子。在图16.4(a)的能量图和图16.4 (b)昀价键图中对这种情况进行了说明。

         
    当一个电子跳入导带时，晶体中的价电子带内就留下一个空位。这个空位叫做空穴( hole)。对于利用外部能量上升到导带中的每一个电子，都在价电子带中留下一个空穴，从而产生一个所谓的电子一空穴对( electron-hole pair)。当一个导带电子失去能量返回价电子带中的一个空穴中时，就出现了复合( recombina-tion)。

           
    总之，室温下的任何一块本征硅晶体在任何时刻都有许多导带（自由）电子，它们未被任何原子所吸引，基本上可以在整个材料中随机漂移。同样，当这些电子跳入导带时，在价电子带中就会产生等量的空穴。这一点如图16.5所示。