即使是射极跟随器，在某些情况下，电流DM9000AEP增益还达不到要求。双管的达林顿( Darlington)接法。这种接法将两只管子有效地级联起来，一只管子作为另一只管子的射极负载，如图1.41所示。
    这两只管子构成了一只复合管。复合管有：VBE=1.4V, hFE（总）=hFElxhFE2。如果能派上用场，可以将达林顿复合管用于替换所有电路形式中的单只晶体管。通常是用于功率放大器的输出级或电源电路昀输出级。市场上也有以单只管子封装出现的达林顿管出售，但如果你用分立晶体管来做，通常花钱更少、效果更佳。

          
    关于双极型晶体管的结构
    前面我们讲到，双极型晶体管的结构可视为发射极区与集电极区之间夹有基极区的三明治式。现在，对此作进一步研究，以便获得更多有用的信息。
    当基极区变厚时，就使得电子从发射极区传送至集电极区的过程中，更容易被基极区所捕获。这些被捕获的电子成为基极电流，流出基极引脚。因此，办，E的大小与基极区的厚度成反比。
    如果晶体管的集电极电流大，它的基极电流必定是成比例的大。为了避免这样的基极电流造成基极区熔化，基极区须做厚。由于基极区变厚又会造成hFE的减少，为此，所需的基极电流必须还要更大一些，这又要求基极区需做得更厚一些。所以，hFE的大小与集电极电流最大允许值的平方成反比；大电流晶体管有较小的hFE。
    结构上，晶体管的基极区将发射极区与集电极区隔离开来。为了防止基极区在电压压力下击穿，耐压高的晶体管必须要厚的基极区。因此，高压晶体管的hFE较小。
    为了避免集电极区熔化，大电流晶体管还必须要有硅芯片面积相当大的集电极区——如此大的面积会使得集电极．基极电容增大。放大器件这个显著的电容，会导致第2章讲到的密勒效应(Miller effect)更突出。就这点而言，此刻我们可以说，大电流晶体管速度较慢。