在晶体管的工作原理中，这个小的反向G5NB-1A-E DC24偏置电流Is扮演着重要的角色。晶体管所处的有效的状态，是在基极一发射极之间加正向偏压，集电极一基极之间加反向偏压。按照两个二极管的模型，基极一发射极之间加正向偏压，因而呈现出如式(2.6)的指数特性，集电极一基极之间加的是反向偏压，所以呈现出如式(2.7)所示的很微小的电流Is从集电极向基极流动的特性。
    但是，实际的晶体管并不是两个二极管简单的相加，而是有差别的。这个差别就是，实际的晶体管的基区，即N型半导体，并不是像图2.5(a)那样由两部分连接起来，而是如图2.5(b)所示合成一块，而且这个基区的区域非常薄。
    假定是NPN型的晶体管，那么当基极一发射极间的二极管ON的时候，多数载流子的电子从发射极流入基极。这时必须注意，由于发射极与基极的半导体极性不同，所以从发射极流入的（在发射区是多数载流子的）电子，到了基区，就变成了“少数载流子”。

           
    图2.5两个二极管的模型与实际的晶体管
    而集电极电流，如式(2.7)所示那样，只是由“少数载流子”决定。双极晶体管中，由于基极一发射极间加正偏压，所以载流子不断地从发射极注入基极。对于这些从发射区注入的少数载流子来说，基极一集电极之间的结不是势垒，就是说，不是排斥而是拉曳的极性。因此，从发射极进入基区的少数载流子的绝大多数，都被从基极拉向集电极。由于电子流与电流的方向相反，所以，把这个电子流作为电流来考虑时，就是其值基本上相同的电流从集电极向发射极流动。所以，式(2.7)的集电极电流已经不是非常小的值，而是与从发射极流出的电流的值几乎相同。这就是双极晶体管工作的秘密。
    这样考虑的话，如图2.6所示，晶体管的IC-V CE特性，与二极管的反偏压特性具有相同的形状就不是不可思议的事情。由于电流流动的原理是相同的，因此当然具有相同的形状。