IGBT的输出特性也称伏安特性。它描述的EB2-12NF是以栅射电压UG。为控制变量时集电极电流如与集射极间电压UG。之间的关系，IGBT的输出特性如图9-2 (b)所示。此特性与GTR [f<J输出特性相似，不同的是控制变量。IGBT为栅射电压UGE而晶体管为基极电流毛。IGBT的输出特性分正向阻断区、有源区和饱和区。当UG。<0时，IGBT为反向阻断工作状态。由图9-1 (a)可知，此时P+N结（Jl结）处于反偏状态，因而不管MOSFET晌沟道体区中有没有形成沟道，均不会有集电极电流出现。由此可见，IGBT由于比MOFET多了一个Jl结而获得反向电压阻断能力，IGBT能够承受的最高反向阻断电压URM取决于Jl结的雪崩击穿电压，IGBT为正向阻断工作状态。此时J2结处于反偏状态，且MOSFET沟道体区内没有形成沟道，IGBT的集电极漏电流/CES很小。IGBT能够承受的最高正向阻断电压UFM取决于J2的雪崩击穿电压。如果Uc。>0而且UG。<UGE。h时，MOSFET的沟通体区内形成导电沟道，IGBT进入正向导通状态。此时，由于Jl结处于正偏状态，P卞区将向N基区注入空穴。当正偏压升高时，注入空穴的密度也相应增大，直到超过N基区的多数载流子密度为止。在这种状态工作时，随着栅射电压UG。的升高，向N基区提供电子的导电沟道加宽，集电极电流丘将增大，在正向导通的大部分区域内与%。呈线性关系，而与Uc。无关，这部分区域称为有源区或线性区。IGBT的这种工作状态称为有源工作状态或线性工作状态。对于工作在开关状态的IGBT，应尽量避免工作在有源区（线性区），否则IGBT的功耗将会很大。饱和区是指榆出特性比较明显弯曲的部分，此时集电极电流厶与极射电压UGE不再呈线性关系。在电力电子电路中，IGBT工作在开关状态，因而IGBT是在正向阻断区和饱和区之间来回转换。