极管的I-V特性
发布时间:2013/6/7 19:06:43 访问次数:681
二极管的电流一电压特性，就像在第1章见到过的那样。为由二极管G5NB-1A-E DC12的种类所决定的饱和电流(A)；Vr为正向电压(V)；VT为
热电压（由半导体的物理性质求得，26mV@27℃）。
当二极管加正向偏压(V>0)时，式(2.3)中的exp项比1大很多，于是可得到就像图2.4(b)所示那样，流过二极管的电流是不随反向偏压变化的一定值的电流I。但是，I。非常小，通常可以认为没有电流流过。所以，二极管在加正向偏压时是ON，而在加反向偏压时变为OFF。
之所以会呈现出这种不对称的电流一电压特性，是因为在PN结附近产生了被称为耗尽层的电位的势垒。N型半导体是具有大量电子（就是说，电子是多数载流子）的半导体。在结面附近形成的耗尽层，起一种排斥、阻拦多数载流子的势垒的作用。当加问正偏压时，这个势垒高度降低，电流流过，使二极管ON。
但是，N型半导体中还含有极少量其电性与电子相反的空穴（少数载流子）。对于少数载流子来说，耗尽层对它不形成势垒。为什么？因为耗尽层的势垒效应是基于电荷的极性而排斥电子的，对于与多数载流子电荷极性相反的少数载流子来说，耗尽层不是排斥，而是吸引空穴。所以，少数载流子可以自由地流过结面。因此，即使加反向偏压，也有由少数载流子构成的极小的电流Is在流动。
P型半导体与N型半导体相反，多数载流子是空穴，而少数载流子是电子，所以具有与N型半导体相反的极性。
热电压（由半导体的物理性质求得，26mV@27℃）。
当二极管加正向偏压(V>0)时，式(2.3)中的exp项比1大很多，于是可得到就像图2.4(b)所示那样，流过二极管的电流是不随反向偏压变化的一定值的电流I。但是，I。非常小，通常可以认为没有电流流过。所以，二极管在加正向偏压时是ON，而在加反向偏压时变为OFF。
之所以会呈现出这种不对称的电流一电压特性，是因为在PN结附近产生了被称为耗尽层的电位的势垒。N型半导体是具有大量电子（就是说，电子是多数载流子）的半导体。在结面附近形成的耗尽层，起一种排斥、阻拦多数载流子的势垒的作用。当加问正偏压时，这个势垒高度降低，电流流过，使二极管ON。
但是，N型半导体中还含有极少量其电性与电子相反的空穴（少数载流子）。对于少数载流子来说，耗尽层对它不形成势垒。为什么？因为耗尽层的势垒效应是基于电荷的极性而排斥电子的，对于与多数载流子电荷极性相反的少数载流子来说，耗尽层不是排斥，而是吸引空穴。所以，少数载流子可以自由地流过结面。因此，即使加反向偏压，也有由少数载流子构成的极小的电流Is在流动。
P型半导体与N型半导体相反，多数载流子是空穴，而少数载流子是电子，所以具有与N型半导体相反的极性。
二极管的电流一电压特性，就像在第1章见到过的那样。为由二极管G5NB-1A-E DC12的种类所决定的饱和电流(A)；Vr为正向电压(V)；VT为
热电压（由半导体的物理性质求得，26mV@27℃）。
当二极管加正向偏压(V>0)时，式(2.3)中的exp项比1大很多，于是可得到就像图2.4(b)所示那样，流过二极管的电流是不随反向偏压变化的一定值的电流I。但是，I。非常小，通常可以认为没有电流流过。所以，二极管在加正向偏压时是ON，而在加反向偏压时变为OFF。
之所以会呈现出这种不对称的电流一电压特性，是因为在PN结附近产生了被称为耗尽层的电位的势垒。N型半导体是具有大量电子（就是说，电子是多数载流子）的半导体。在结面附近形成的耗尽层，起一种排斥、阻拦多数载流子的势垒的作用。当加问正偏压时，这个势垒高度降低，电流流过，使二极管ON。
但是，N型半导体中还含有极少量其电性与电子相反的空穴（少数载流子）。对于少数载流子来说，耗尽层对它不形成势垒。为什么？因为耗尽层的势垒效应是基于电荷的极性而排斥电子的，对于与多数载流子电荷极性相反的少数载流子来说，耗尽层不是排斥，而是吸引空穴。所以，少数载流子可以自由地流过结面。因此，即使加反向偏压，也有由少数载流子构成的极小的电流Is在流动。
P型半导体与N型半导体相反，多数载流子是空穴，而少数载流子是电子，所以具有与N型半导体相反的极性。
热电压（由半导体的物理性质求得，26mV@27℃）。
当二极管加正向偏压(V>0)时，式(2.3)中的exp项比1大很多，于是可得到就像图2.4(b)所示那样，流过二极管的电流是不随反向偏压变化的一定值的电流I。但是，I。非常小，通常可以认为没有电流流过。所以，二极管在加正向偏压时是ON，而在加反向偏压时变为OFF。
之所以会呈现出这种不对称的电流一电压特性，是因为在PN结附近产生了被称为耗尽层的电位的势垒。N型半导体是具有大量电子（就是说，电子是多数载流子）的半导体。在结面附近形成的耗尽层，起一种排斥、阻拦多数载流子的势垒的作用。当加问正偏压时，这个势垒高度降低，电流流过，使二极管ON。
但是，N型半导体中还含有极少量其电性与电子相反的空穴（少数载流子）。对于少数载流子来说，耗尽层对它不形成势垒。为什么？因为耗尽层的势垒效应是基于电荷的极性而排斥电子的，对于与多数载流子电荷极性相反的少数载流子来说，耗尽层不是排斥，而是吸引空穴。所以，少数载流子可以自由地流过结面。因此，即使加反向偏压，也有由少数载流子构成的极小的电流Is在流动。
P型半导体与N型半导体相反，多数载流子是空穴，而少数载流子是电子，所以具有与N型半导体相反的极性。
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