温度特性与散热
发布时间:2013/5/27 20:17:53 访问次数:873
半导体器件的共同缺点是E6C2-AB5C其特性参数受温度影响大，除了前述若干特性随着温度升高而变差外，由于温度升高将使Ue。。升高，L也将增大，输出功率下降，最大允许功耗和二次击穿触发功率均要下降，结果使电力晶体管GTR的安全工作区面积缩小。必须采取有效散热措施，选配适当的散热器，裉据容量等级采用自然冷却、风冷或沸腾冷却方式，确保GTR不超过规定的结温最大值。
热损坏由结温过高所致，结温升高由发热引起，发热量则由功耗转变而来。因此，若能从根本上减小GTR的功耗就可确保其安全可靠地工作。在高频大功率开关条件下工作的GTR，其功耗由静态导通功耗、动态开关损耗和基极驱动功耗三部分组成。设法降低导通电压、采用各种缓冲电路改变GTR的开关轨迹等均可达到减小GTR功耗的目的。
恒流驱动电路
“恒流驱动”是指GTR的基极电流保持恒定，不随集电极电流变化而变化。为了保证GTR在任何负载情况下都能处于饱和导通，所需的基极电流厶应按GTR最大可能通过的集电极电流。
所以，恒流驱动使空载或空载时饱和深度加剧，存储时间大。为了克服上述弊端常采用其他
辅助措施，并由此演绎出两种不同类型。
(1)抗饱和电路。
抗饱和电路亦称贝克钳位电路，其基本形式如图7-9所示，其目的是将多余的基极电流从集电极引出，使GTR在不同集电极电流情况下都处于准饱和状态，使集电结处于零偏置或轻微正向偏置的状态。图中VD1、VD2为抗饱和二极管，VD3为反向基流提供回路。轻载时，当GTR饱和深度加剧而使Ue。减小时，A点电位高于集电极电位，VD2导通，将《分流，使流过二极管VD1的基极电流厶减小，从而减小了GTR昀饱和深度。
抗饱和电路可以缩短存储时间，使在不同负载情况下及使用离散性较大的GTR时存储时间趋向一致，但需增加二个二极管，钳位二极管VD2必须是快速恢复二极管且其耐压必须和GTR的耐压相当。由于电路工作于准饱和状态正向压降增加，增大了导通损耗。
热损坏由结温过高所致，结温升高由发热引起，发热量则由功耗转变而来。因此，若能从根本上减小GTR的功耗就可确保其安全可靠地工作。在高频大功率开关条件下工作的GTR，其功耗由静态导通功耗、动态开关损耗和基极驱动功耗三部分组成。设法降低导通电压、采用各种缓冲电路改变GTR的开关轨迹等均可达到减小GTR功耗的目的。
恒流驱动电路
“恒流驱动”是指GTR的基极电流保持恒定，不随集电极电流变化而变化。为了保证GTR在任何负载情况下都能处于饱和导通，所需的基极电流厶应按GTR最大可能通过的集电极电流。
所以，恒流驱动使空载或空载时饱和深度加剧，存储时间大。为了克服上述弊端常采用其他
辅助措施，并由此演绎出两种不同类型。
(1)抗饱和电路。
抗饱和电路亦称贝克钳位电路，其基本形式如图7-9所示，其目的是将多余的基极电流从集电极引出，使GTR在不同集电极电流情况下都处于准饱和状态，使集电结处于零偏置或轻微正向偏置的状态。图中VD1、VD2为抗饱和二极管，VD3为反向基流提供回路。轻载时，当GTR饱和深度加剧而使Ue。减小时，A点电位高于集电极电位，VD2导通，将《分流，使流过二极管VD1的基极电流厶减小，从而减小了GTR昀饱和深度。
抗饱和电路可以缩短存储时间，使在不同负载情况下及使用离散性较大的GTR时存储时间趋向一致，但需增加二个二极管，钳位二极管VD2必须是快速恢复二极管且其耐压必须和GTR的耐压相当。由于电路工作于准饱和状态正向压降增加，增大了导通损耗。
半导体器件的共同缺点是E6C2-AB5C其特性参数受温度影响大，除了前述若干特性随着温度升高而变差外，由于温度升高将使Ue。。升高，L也将增大，输出功率下降，最大允许功耗和二次击穿触发功率均要下降，结果使电力晶体管GTR的安全工作区面积缩小。必须采取有效散热措施，选配适当的散热器，裉据容量等级采用自然冷却、风冷或沸腾冷却方式，确保GTR不超过规定的结温最大值。
热损坏由结温过高所致，结温升高由发热引起，发热量则由功耗转变而来。因此，若能从根本上减小GTR的功耗就可确保其安全可靠地工作。在高频大功率开关条件下工作的GTR，其功耗由静态导通功耗、动态开关损耗和基极驱动功耗三部分组成。设法降低导通电压、采用各种缓冲电路改变GTR的开关轨迹等均可达到减小GTR功耗的目的。
恒流驱动电路
“恒流驱动”是指GTR的基极电流保持恒定，不随集电极电流变化而变化。为了保证GTR在任何负载情况下都能处于饱和导通，所需的基极电流厶应按GTR最大可能通过的集电极电流。
所以，恒流驱动使空载或空载时饱和深度加剧，存储时间大。为了克服上述弊端常采用其他
辅助措施，并由此演绎出两种不同类型。
(1)抗饱和电路。
抗饱和电路亦称贝克钳位电路，其基本形式如图7-9所示，其目的是将多余的基极电流从集电极引出，使GTR在不同集电极电流情况下都处于准饱和状态，使集电结处于零偏置或轻微正向偏置的状态。图中VD1、VD2为抗饱和二极管，VD3为反向基流提供回路。轻载时，当GTR饱和深度加剧而使Ue。减小时，A点电位高于集电极电位，VD2导通，将《分流，使流过二极管VD1的基极电流厶减小，从而减小了GTR昀饱和深度。
抗饱和电路可以缩短存储时间，使在不同负载情况下及使用离散性较大的GTR时存储时间趋向一致，但需增加二个二极管，钳位二极管VD2必须是快速恢复二极管且其耐压必须和GTR的耐压相当。由于电路工作于准饱和状态正向压降增加，增大了导通损耗。
热损坏由结温过高所致，结温升高由发热引起，发热量则由功耗转变而来。因此，若能从根本上减小GTR的功耗就可确保其安全可靠地工作。在高频大功率开关条件下工作的GTR，其功耗由静态导通功耗、动态开关损耗和基极驱动功耗三部分组成。设法降低导通电压、采用各种缓冲电路改变GTR的开关轨迹等均可达到减小GTR功耗的目的。
恒流驱动电路
“恒流驱动”是指GTR的基极电流保持恒定，不随集电极电流变化而变化。为了保证GTR在任何负载情况下都能处于饱和导通，所需的基极电流厶应按GTR最大可能通过的集电极电流。
所以，恒流驱动使空载或空载时饱和深度加剧，存储时间大。为了克服上述弊端常采用其他
辅助措施，并由此演绎出两种不同类型。
(1)抗饱和电路。
抗饱和电路亦称贝克钳位电路，其基本形式如图7-9所示，其目的是将多余的基极电流从集电极引出，使GTR在不同集电极电流情况下都处于准饱和状态，使集电结处于零偏置或轻微正向偏置的状态。图中VD1、VD2为抗饱和二极管，VD3为反向基流提供回路。轻载时，当GTR饱和深度加剧而使Ue。减小时，A点电位高于集电极电位，VD2导通，将《分流，使流过二极管VD1的基极电流厶减小，从而减小了GTR昀饱和深度。
抗饱和电路可以缩短存储时间，使在不同负载情况下及使用离散性较大的GTR时存储时间趋向一致，但需增加二个二极管，钳位二极管VD2必须是快速恢复二极管且其耐压必须和GTR的耐压相当。由于电路工作于准饱和状态正向压降增加，增大了导通损耗。
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