为了减小存储时间加速GTR关断，常采用截止反E6C2-AG5B偏驱动以迅速抽出基区的过剩载流子。形成截止反偏的电路有多种，现介绍常见几种电路。
    1)单极性脉冲变压器驱动电路。
    较简单的单极性脉冲变压器截止反偏驱动电路如图7-10所示。它实际上是一个小功率单端正激式变换器。当驱动管VT导通时，在变压器二次绕组W2上感生电动势向GTR提供基极电流，使GTR导通，二极管VD由于W3上感应电动势反偏而截止，VT截止时，各绕组感应电动势反向，W2上的反向电压作为GTR的反偏电压，使GTR迅速关断。GTR截止后，二次绕组W2开路，变压器心的磁场能量则通过绕组W3及二极管VD反馈回电源。可见反偏电压是导通时间的函数。单极性脉冲变压器驱动电路结构简单，但有直流磁化现象，铁心体积较大。

         
    2)电容储能式驱动电路。
    图7-11为利用电容储能来获得反向偏置的电容储能式驱动电路。当输入信号“；为高电平，变压器绕组星号端为正极性时，在变压器二次绕组W2上产生正向驱动电压，并经GTR的发射结对储能电容C充电。二极管VD2导通，晶体管VT被VD2的正向压降和C两端的充电电压反向偏置而截止。当%为低电平时，VD2截止。电容C通过尚在导通的GTR的发射结、W2和R2驱动晶体管VT饱和导通，使电容C上的电压反向加于GTR的发射结上，放电电流使GTR基区的过剩载流子迅速抽出而关断。GTR关断后，电容C上的储能通过R、VD1、R2和VT的发射结继续释放，并且应于GTR再次导通前放电完毕。

           
    3)固定反偏互补驱动电路。
    固定反偏互补驱动电路如图7-12所示。晶体管VT2和VT3组成互补驱动级，当甜i为高电平时，VT1及VT2导通，正电源+Vcc经过电阻R3及VT2向GTR提供正向基极电流，使其导通。当%为低电平时，VT1及VT2戳止而VT3导通，负电源- Vcc加于GTR的发射结上，GTR基区的过剩载流子被迅速抽出，GTR迅速关断。