在本征半导体中掺入某种特定有用的杂质，形成BR3032杂质半导体，其导电性能在常温状态下就会发生质的变化。按照掺入杂质的木同，可以分为N型半导体和P型半导体。
    (1)N型半导体。
    在硅（锗）晶体中掺入少量五价元素的杂质，如磷或砷，原来晶格中的某些硅原予将被杂质原子所取代，形成N型半导体，其结构如图4-3所示。由于杂质原子最外层有五个价电子，当它与周围的四个硅原子组成共价键结构时将多余一个电子。它将不受共价键的束缚，只受所掺入杂质原子核的吸引，而这种束缚力很微弱，使得该电子在室温下很容易形成自由电子。
    图4-3 N型半导体的结构

            
    掺入杂质形成自由电子或空穴的过程，我们称之为杂质电离。在N型半导体中，由于杂质电离产生的是自由电子，所以其自由电子的浓度将远远大于空穴的浓度。N型半导体就主要依靠自由电子导电，所以又称为电子型半导体，其导电性能大于本征半导体。
    (2)P型半导体。
    在硅（锗）晶体中掺入少量的三价元素杂质，如硼或镓，原来晶格中的某些硅原子将被杂质原子所取代，形成P型半导体，其结构如图4-4所示。由于杂质原子最外层只有三个价电子，当它与周围的四个硅原子组成共价键结构时，因为其缺少一个价电子而形成空穴。显然，掺入的杂质越多，形成的空穴就越多。显然，在P型杂质半导体中，空穴的浓度将远远大于自由电子的浓度。P型半导体就主要依靠空穴导电，所以又称为空穴型半导体，其导电性能也大于本征半导体。
    图4-4 P型半导体的结构
    半导体的导电性能
    综上所述，杂质半导体的导电性能明显优于本征半导体，其导电能力主要取决于杂质半导体中多数载流子的浓度（多子浓度），而多子的浓度主要取决于掺杂杂质的浓度（杂质电离的程度）。由于半导体的导电性能对光照、温度、掺杂三个因素很敏感，我们称其为半导体的三敏性，即光敏性、热敏性、杂敏性。通过调整这些因素，我们可以改善半导体的导电性能。