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场效应晶体管的特点与工作原理

发布时间:2013/3/5 19:48:45 访问次数:955

    场效应晶体管的特点是由栅极电压U。控制其1826-0109漏极电流。和普通双极型晶体管相比较,场效应晶体管具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功耗小、易于集成等特点。
    1.场效应晶体管的工作原理
    场效应晶体管的基本工作原理如图2-26所示(以结型N沟道为例)。由于栅极G接有负偏压(-U),在G附近形成耗尽层。
    当负偏压(-U)的绝对值增大时,耗尽层增大,沟道减小,漏极电流减小。当负偏压(-U。)的绝对值减小时,耗尽层减小,沟道增大,漏极电流增大。  

               
    可见,漏极电流。受栅极电压的控制,所以场效应晶体管是电压控制型器件,即通过输入电压的变化来控制输出电流的变化,从而达到放大等目的。
    2.场效应晶体管的偏置电压    
    和双极型晶体管一样,场效应晶体管用于放大等电路时,其栅极也应加偏置电压。
    结型场效应晶体管的栅极应加反向偏置电压,即N沟道结型场效应晶体管加负栅压,P沟道结型场效应晶体管加正栅压;增强型绝缘栅场效应晶体管应加正向栅压;耗尽型绝缘栅场效应晶体管的栅压可正可负可为“0”,见表2-2。加偏置的方法有固定偏置法、自给偏置法、直接耦合法等。

               

    场效应晶体管的特点是由栅极电压U。控制其1826-0109漏极电流。和普通双极型晶体管相比较,场效应晶体管具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功耗小、易于集成等特点。
    1.场效应晶体管的工作原理
    场效应晶体管的基本工作原理如图2-26所示(以结型N沟道为例)。由于栅极G接有负偏压(-U),在G附近形成耗尽层。
    当负偏压(-U)的绝对值增大时,耗尽层增大,沟道减小,漏极电流减小。当负偏压(-U。)的绝对值减小时,耗尽层减小,沟道增大,漏极电流增大。  

               
    可见,漏极电流。受栅极电压的控制,所以场效应晶体管是电压控制型器件,即通过输入电压的变化来控制输出电流的变化,从而达到放大等目的。
    2.场效应晶体管的偏置电压    
    和双极型晶体管一样,场效应晶体管用于放大等电路时,其栅极也应加偏置电压。
    结型场效应晶体管的栅极应加反向偏置电压,即N沟道结型场效应晶体管加负栅压,P沟道结型场效应晶体管加正栅压;增强型绝缘栅场效应晶体管应加正向栅压;耗尽型绝缘栅场效应晶体管的栅压可正可负可为“0”,见表2-2。加偏置的方法有固定偏置法、自给偏置法、直接耦合法等。

               

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