场效应晶体管的参数

发布时间:2013/3/5 19:51:15 访问次数:1063

    场效应晶体管的参数有很多，包括直流1N2222A参数、交流参数和极限参数，但一般使用时只需关注以下主要参数：饱和漏源电流ID。夹断电压u，（结型和耗尽型绝缘栅）或开启电压u，（增强型绝缘栅）、跨导g。、漏源击穿电压BU、最大耗散功率。和最大漏源电流。
    1．饱和漏源电流
    饱和漏源电流，是指结型或耗尽型绝缘栅场效应晶体管中，栅极电压Ue。=0时的漏源电流。
    2．夹断电压
    夹断电压U，是指结型或耗尽型绝缘栅场效应晶体管中，使漏源间刚截止时的栅极电压。
    3．开启电压
    开启电压U，是指增强型绝缘栅场效应晶体管中，使漏源间刚导通时的栅极电压。
    4．跨导
    跨导g。表示栅源电压u。对漏极电流。的控制能力，即漏极电流。变化量与栅源电压U。变化量的比值g。是衡量场效应晶体管放大能力的重要参数。
    5．漏源击穿电压
    漏源击穿电压BU。是指栅源电压U。一定时，场效应晶体管正常工作所能承受的最大漏源电压。这是一项极限参数，加在场效应晶体管上的工作电压必须小于BU。
    6．最大耗散功率
    最大耗散功率P。也是一项极限参数，是指场效应晶体管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。使用时场效应晶体管实际功耗应小于P。并留有一定余量。
    7.最大漏源电流
    最大漏源电流。是又一项极限参数，是指场效应晶体管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流。场效应晶体管的工作电流不应超过/DSM。

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相关IC型号: 1N2222A; 暂无最新型号

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