场效应晶体管外形与晶体三171J极管几乎一样，如图2-22所示。场效应管的种类有很多，分类如图2-23所示，主要分为结型场效应晶体管和绝缘栅场效应晶体管两大类，它们又都有N沟道和P沟道之分。
    绝缘栅扬效应晶体管也叫做金属氧化物半导体场效应晶体管，即MOS场效应晶体管(MOSFET)，分为耗尽型MOSFET和增强型MOSFET。

            
    场效应晶体管还有单栅极和双栅极之分。双栅场效应晶体管具有两个互相独立的栅极G．和G，从结构上看相当于由两个单栅场效应晶体管串联而成，其输出电流的变化受到两个栅极电压的控制。双栅场效应晶体管的这种特性，使得其用作高频放大器、增益控制放大器、混频器和解调器时带来很大方便。

             
    场效应晶体管的文字符号为“VF”（或“VE”），图形符号如图2 -24所示。
    场效应晶体管一般具有3个引脚（双栅场效应晶体管具有4个引脚），分别是栅极G、源极S和漏极D，它们的功能分别对应于双极型晶体管的基极b、发射极e和集电极c。由于场效应晶体管的源极S和漏极D是对称的，实际使用中可以互换。常用场效应晶体管的引脚如图2-25所示，使用中应注意识别。