如果能使墓极电流达到集SN74LS11N极电流的l/hFE倍，晶体管将处于导通状态。考虑到hFE的分散性或者基极电流受温度影响而变化等因素（因为BE具有温度特性，所以基极电流也随温度变化），应该使流过的基极电流稍大些。这叫做过驱动，通常设定为按所使用晶体管^ FE的最低值计算得到的基极电流的1.5～2倍以上。
   由表8.1得知2SC2458的hFE最低值是70，图8.5中电路的负载电流为5mA，所以可以设定流过的基极电流大于0. ImA《5mA/70)×1.5)～0.14mA《5mA/70)×2)。
    如图8. 11所示，由于基极电位是+0. 6V，所以输入信号为+5V时R．上产生的电压降为4.4V(但是要注意，达林顿连接时基极电位为+1.2V)。
    按照上述条件，为使晶体管处于导通状态要求流过的基极电流为0.2mA，所以Ri=22kQ(一4.4V／O.2mA)（但是忽略了流过R2的电流）。
    Rz是输入端开路时确保晶体管处于截止状态的电阻。如果R2过大，将容易受噪声的干扰，过小则在晶体管处于导通状态时会有无用电流流过R2。这里设定R2=22kfl（与Ri值相同）。
    最近，已经有些厂家产生出如图8.12所示那样内藏有偏置电阻的晶体管产品。Ri、Rz电阻也有各种取值。如果使用内藏电阻的晶体管将会减少电路的元件数目，这对于开关电路是很方便的。