发射极接地型开关电路的负载电流SN74LS123N就是集电极电流，所以必须能够从输入端提供大于l/hFE的基极电流。对于图8.5的电路由于负载电流小，只有5mA，所以没有什么问题。但是当负载电流达数百毫安以上时驱动基极的电路（接续输入端的电路）就有可能无法提供足够的基极电流。
    在这种情况下，需要采用称为“超p晶体管”的h FE非常大的晶体管（例如2SC3113（东芝）的矗FE可达到600～3600），或者如图8.8所示将两个晶体管达林顿连接。

            
    如图8.8所示，采用达林顿连接时Tri的发射极电流全部变成Tr2的基极电流，所以总的hFE是各自晶体管的矗FE之积(hFEl．hFE2)。（是一种赚取hFE-减少基极电流的应用手段。在功率应用中，也有在一个管壳内部作成达林顿连接的晶体管）
    例如，如果hFEl一hFE2一100，那么总的矗FE就是10000，用ImA的基极电流就能够开关10A的集电极电流。但是在计算达林顿连接电路的基极电流时需要注意的是，当晶体管导通时基极一发射极之间的电压降是1. 2～1. 4V(两个VBE)。
    图8.9是一例采用达林顿连接的开关电路，是一个电灯开美电路。由于晶体管是达林顿连接，所以可以用0. 5mA的基极电流开关0.9A的负载。在设计大负载电流的电路时，还需要注意晶体管的集电极一发射极间饱和电压VCE(。，。尽管晶体管处于导通状态时的集电极一发射极间电阻值非常小，但还不是零，所以当集电极电流流过时会产生电压降。这就是集电极饱和电压VCE( sa(sat是saturation的简写)。

            
    图8.10是2SC2458的集电极流过lOOmA的负载电流时的开关电路。照片8.4是给这个电路输入lkHz，OV/+5V控制信号时的集电极波形这个电路中，一0.16V。晶体管处于导通状态时的功率损耗是CE与集电极电流之积，它们全部变成热损耗。所以当负载电流大时，必须注意晶体管的发热问题。
    另外如图8.9所示，当发射极接地型开关电路中采用达林顿连接时，Tr2的集电极一发射极间电压并不是Vc（sat，而是Tr。的（一0.6～0.7V）。这是因为Tr2的集电极电位如果不是与Tr，的发射极电位（一Tr2的基极电位）同电位，那么Tri的基极一集电极间的PN结将处于导通状态。因此，采用达林顿连接处理大电流时，特别要注意晶体管的热损耗问题（0.6～0.7V×集电极电流一热损耗）。