频率特性好的原因
发布时间:2012/8/19 20:30:11 访问次数:852
图6.6是考虑到FET各电极ULN2004AN间存在电容成分时画出的栅极接地放大电路。简单地理解,由于FET的输入电容Ci是CG。与米勒效应影响下CDS(CDS两端加电压为vi (AV-1),所以从源极看到的CDS增大了之和,所以信号源的输出阻抗源极电阻R。这些电阻成分与Ci构成了低通滤波器。
(栅极接了地与源极也交流接地是相同的。这样一来,由于输入电容G是接在GNDGND间的,所以与电路的工作没有关系。就是说,可以得到不受Ci干扰的宽带特性)
但是如照片6.4所示,FET的源极端可以认为与交流极接地是等价的(尽管流过交流电流,但是几乎不产生交流电压)。栅极接地电路的源极端可以认为与使用OP放大器的反转放大器的假想接地点是同样的状态。
因此,即使源极与GND间接人电容器Ci也与GND-GND间接续电容器是相同的,所以不形成低通滤波器。
图6.6是考虑到FET各电极ULN2004AN间存在电容成分时画出的栅极接地放大电路。简单地理解,由于FET的输入电容Ci是CG。与米勒效应影响下CDS(CDS两端加电压为vi (AV-1),所以从源极看到的CDS增大了之和,所以信号源的输出阻抗源极电阻R。这些电阻成分与Ci构成了低通滤波器。
(栅极接了地与源极也交流接地是相同的。这样一来,由于输入电容G是接在GNDGND间的,所以与电路的工作没有关系。就是说,可以得到不受Ci干扰的宽带特性)
但是如照片6.4所示,FET的源极端可以认为与交流极接地是等价的(尽管流过交流电流,但是几乎不产生交流电压)。栅极接地电路的源极端可以认为与使用OP放大器的反转放大器的假想接地点是同样的状态。
因此,即使源极与GND间接人电容器Ci也与GND-GND间接续电容器是相同的,所以不形成低通滤波器。
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