前面看到的FET的源极LM2596T-3.3地放大电路是不是与双极晶体管的发射极放大电路完全相同？
    实际上几乎是完全相同的，只有一点差别，这就是双极晶体管的基极一发射极间电压V BE与FET的栅极一源极间电压VGS在电压、极性上有差别。
    这一点对于FET电路是非常重要的。只有搞清楚V GS究竟有多大，才能够方便地像使用双极晶体管那样使用FET。
    下面将结合FET的工作原理，说明这个VGS的大小。
    双极晶体管只有NPN和PNP两种类型，FET的分类则稍微复杂。
    如图2.6所示，FET按照结构可以分为结型FET(JFET：Junction FET)和绝缘栅FET(MOSFET:Metal Oxide Semiconductor FET)。

             
    按照电学特性，MOSFET又可以分为耗尽型(depletion)与增强型(enhance-ment)两类。它们又可以进一步分为N沟型（与双极晶体管的NPN型相当）和P沟型（与双极晶体管的PNP型相当）。
    从实际FET的型号中完全看不出JFET与MOSFET、耗尽型与增强型的区别。仪仅是N沟器件为2SK×××（也有双栅的3SK×××），P沟器件为2SJ××X，以区别N沟和P沟器件。