图2.7是FET简LM224N单的的结构示意图（P沟FET是P型半导体部分与N型半导体部分互换）。

   (JFET工作时栅极与沟道间的二极管处于截止状态，所以几乎没有电流流过栅极。MOSFET的栅极与沟道间有绝缘膜，电流的流动更困难)
    如图2.8所示，双极晶体管的基极一发射极间以及基极一集电极间分别是两个PN结，就是说存在着二极管。JFET．的栅极与沟道（把输出电路流过漏极一源极间的部分称为沟道）间有PN结，所以认为存在着二极管(由于有PN结，所以称为结型FET)。（晶体管有两个PN结。可以把PN结看作是二极管，晶体管可以认为是基极一发射极间以及基极一集电极间各有一个二极管）
    双极晶体管的基极一发射极间的二极管总是工作在导通状态，而JFET的栅极一沟道间的二极管工作在截止状态。
    因此FET的栅极一沟道间流过的电流很小，只相当于二极管的反向漏电流，所以器件本身的输入阻抗比双极晶体管高得多（约l08～1012Q）。

             
    MOSFET的栅极是由金属构成的，它与半导体沟道之间有一层绝缘膜，形成三层结构。所谓MOS，就是因为实际的结构是由金属(M)、绝缘膜(如氧化膜，0)和半导体(S)组成。
    MOSFET的特点是栅极与沟道间有绝缘膜，栅极与沟道是绝缘的，所以流过栅极的电流比JFET还要小很多。因此，输入阻抗也比JFET高得多(约l012～1014Q)。