晶体管的反相动作与逻辑电路的组合
发布时间:2012/7/24 20:28:00 访问次数:526
使用二极管和电阻构成的1N4740(1W/10V)逻辑元件(二极管门电路)时,当将多个门串联起来后,电压电平“1”和“o”的电平差逐渐缩小,且p使设计得再好,在3~4级后仍会变得不可分辨。而且二极管不具备使输入波形反相的功能,所以仅用二极管和电阻不能构成NOT门电路。因此,在制作实用的逻辑电路时,使用由晶体管构成的逻辑元件。
在逻辑电路中,需要使用开关速度高、耐温度变化强的硅元件,所以常用NPN型的晶体管。
晶体管的开关动作
在图4.231中,关于b为0、10、20、30、40、50、601uA的各场合,在晶体管的集电极与发射极之间加上电压,逐渐减小可变电阻Rc,测试J。对于Vc。的值并绘制成图表,就可得到如图4.232所示的曲线。这是发射极接地时的集电极输出特性,通常称之为晶体管的输出特性。域内阻非常小。因此,我们可以认为截止区相当于开关处于OFF的状态,饱和区相当于开关处于ON的状态。这样就可以通过基极电流IB来控制集电极一发射极之间的ON和OFF,其开关作用如图4.233所示。
使用二极管和电阻构成的1N4740(1W/10V)逻辑元件(二极管门电路)时,当将多个门串联起来后,电压电平“1”和“o”的电平差逐渐缩小,且p使设计得再好,在3~4级后仍会变得不可分辨。而且二极管不具备使输入波形反相的功能,所以仅用二极管和电阻不能构成NOT门电路。因此,在制作实用的逻辑电路时,使用由晶体管构成的逻辑元件。
在逻辑电路中,需要使用开关速度高、耐温度变化强的硅元件,所以常用NPN型的晶体管。
晶体管的开关动作
在图4.231中,关于b为0、10、20、30、40、50、601uA的各场合,在晶体管的集电极与发射极之间加上电压,逐渐减小可变电阻Rc,测试J。对于Vc。的值并绘制成图表,就可得到如图4.232所示的曲线。这是发射极接地时的集电极输出特性,通常称之为晶体管的输出特性。域内阻非常小。因此,我们可以认为截止区相当于开关处于OFF的状态,饱和区相当于开关处于ON的状态。这样就可以通过基极电流IB来控制集电极一发射极之间的ON和OFF,其开关作用如图4.233所示。
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