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P沟MOSFET的内藏二极管

发布时间:2012/5/28 20:02:58 访问次数:1733

   一般的双扩散型功率放大用MOS-FET的结构中，在漏极SP6200EM5-5.0/TR一源极之间内藏着一个等效的二极管。顺便指出，如图10.10所示P沟MOSFET中二极管的接续方向是相反的。这个内藏二极管的正向电流和反向击穿电压与MOS-FET的漏极电流的绝对最大额定值、漏极一源极间电压的绝对最大额定值相同。通常就把这个二极管作为续流二极管使用。当这个二极管的电流容量不足时，再在漏极一源极间外接二极管。C4是H电桥电源的去耦电容，采用lOpLF/25V昀电解电容器（只要容量大于lpLF，耐压在15V以上即可）。

                                  

   一般的双扩散型功率放大用MOS-FET的结构中，在漏极SP6200EM5-5.0/TR一源极之间内藏着一个等效的二极管。顺便指出，如图10.10所示P沟MOSFET中二极管的接续方向是相反的。这个内藏二极管的正向电流和反向击穿电压与MOS-FET的漏极电流的绝对最大额定值、漏极一源极间电压的绝对最大额定值相同。通常就把这个二极管作为续流二极管使用。当这个二极管的电流容量不足时，再在漏极一源极间外接二极管。C4是H电桥电源的去耦电容，采用lOpLF/25V昀电解电容器（只要容量大于lpLF，耐压在15V以上即可）。

                                  

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5-28P沟MOSFET的内藏二极管
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