如果能使基极电流达到集TMS320F28015PZA电极电流的l/hFE倍，晶体管将处于导通状态。考虑到hFE的分散性或者基极电流受温度影响而变化等因素（因为VBE具有温度特性，所以基极电流也随温度变化），应该使流过的基极电流稍大些。这叫做过驱动，通常设定为按所使用晶体管hFE的最低值计算得到的基极电流的1.5～2倍以上。
    由表8.1得知2SC2458的矗，。最低值是70，图8.5中电路的负载电流为5mA，所以可以设定流过的基极电流大于o．ImA(( 5mA/70)×1.5)—0. 14mA《5mA/70)×2)。
    如图8.11所示，由于基极电位是+0. 6V，所以输入信号为+5V时R．上产生的电压降为4.4V(但是要注意，达林顿连接时基极电位为+1.2V)。
    按照上述条件，为使晶体管处于导通状态要求流过的基极电流为0.2mA，所以R，一22kQ(一4.4V/O. 2mA)（但是忽略了流过R2的电流）。
    R2是输入端开路时确保晶体管处于截止状态的电阻。如果R2过大，将容易受噪声的干扰，过小则在晶体管处于导通状态时会有无用电流流过R20这里设定R2=22kQ（与Ri值相同）。
    最近，已经有些厂家产生出如图8.12所示那样内藏有偏置电阻的晶体管产品。R1、R2电阻也有各种取值。如果使用内藏电阻的晶体管将会减少电路的元件数目，这对于开关电路是很方便的。