图7.7所示的视频放大TMS320DM642AZDK7器电路中，Tr3和Tr4（跨阻抗级）因为密勒效应制约了频率特性的高端响应。因此只要消除了Tr3和Tr4的密勒效应，就能够进一步提高电路的频率特性。
    图7.13是将跨阻抗级栅一阴放大连接自举化的电路。结果在跨阻抗级不再发生密勒效应，所以电路的频率特性得到大幅度的提高。
    栅一阴放大连接自举部分的设计中，为了提高电路工作的稳定性，将Tr3和Tr6的集电极一发射极间电压VCE谩定在1V以上。在图7.13的电路中，Di和Dz采用3V的齐纳二极管(H23BLI。)，所以Tr3和Tr6的VCE是2.4V(一3V-0.6V)。
    Tr7和Tr8的发射极所接4.7fl,电阻限流电阻的作用是当D3和D4的正向电压降VF比Tr7和Tr8的VBE大的时候（由于器件的分散性或者温度变化）限制发射极电流。
    其他部分的设计方法与示于图7.7的电路完全相同。