并联推挽源极跟随器
发布时间:2012/5/24 19:39:27 访问次数:902
图5.7所介绍的功率放LM3S9B90-IQC80-C5大电路中，当必须的输出电流超过输出级所用MOS-FET的额定值时，如图5.19所示，可以将多个源极跟随器并联接续，由各源极跟随器分散提供电流。
图5.19的电路只画出了并联推挽源极跟随器的部分。从这种电路中取出的电流可以比图5.7电路中输出电流多2倍。
源极跟随器并联接续时必须注意的问题是并联接续FET的VGS要一致（图5.19中的Tri与Tr3、Tr2与Tr4的VGS）。否则的话，就不能从各器件中流过均等的源极电流。特别是由于FET的VGS与晶体管的VBE不同，分散性很大，所以并联接续的FET不仅要求器件VGS的档次相同（功率MOS中不是按照IDSS而是按照VGS分档的），而且必须在mV量级上一致。
图5.19的电路只画出了并联推挽源极跟随器的部分。从这种电路中取出的电流可以比图5.7电路中输出电流多2倍。
源极跟随器并联接续时必须注意的问题是并联接续FET的VGS要一致（图5.19中的Tri与Tr3、Tr2与Tr4的VGS）。否则的话，就不能从各器件中流过均等的源极电流。特别是由于FET的VGS与晶体管的VBE不同，分散性很大，所以并联接续的FET不仅要求器件VGS的档次相同（功率MOS中不是按照IDSS而是按照VGS分档的），而且必须在mV量级上一致。
图5.7所介绍的功率放LM3S9B90-IQC80-C5大电路中，当必须的输出电流超过输出级所用MOS-FET的额定值时，如图5.19所示，可以将多个源极跟随器并联接续，由各源极跟随器分散提供电流。
图5.19的电路只画出了并联推挽源极跟随器的部分。从这种电路中取出的电流可以比图5.7电路中输出电流多2倍。
源极跟随器并联接续时必须注意的问题是并联接续FET的VGS要一致（图5.19中的Tri与Tr3、Tr2与Tr4的VGS）。否则的话，就不能从各器件中流过均等的源极电流。特别是由于FET的VGS与晶体管的VBE不同，分散性很大，所以并联接续的FET不仅要求器件VGS的档次相同（功率MOS中不是按照IDSS而是按照VGS分档的），而且必须在mV量级上一致。
图5.19的电路只画出了并联推挽源极跟随器的部分。从这种电路中取出的电流可以比图5.7电路中输出电流多2倍。
源极跟随器并联接续时必须注意的问题是并联接续FET的VGS要一致（图5.19中的Tri与Tr3、Tr2与Tr4的VGS）。否则的话，就不能从各器件中流过均等的源极电流。特别是由于FET的VGS与晶体管的VBE不同，分散性很大，所以并联接续的FET不仅要求器件VGS的档次相同（功率MOS中不是按照IDSS而是按照VGS分档的），而且必须在mV量级上一致。
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相关技术资料- 5-24并联推挽源极跟随器
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- LM3S9B90-IQC80-C5
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