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Tr1与Tr2的选择

发布时间:2012/5/17 19:29:50 访问次数:1304

    对于Tri与Tr2的品种,在设计规格中设有TPS2049DRG4规定频率特性和噪声电平,如果集电极一基极间的最大额定值VCBO与集电极一发射极间最大额走值VCEO是在电源电压以上的晶体管,那么,选择任何一种晶体管都可以(这里所说的电源电压是正电源与负电源之间的电压,在该电路中即是10V=+5V-(-5V))。

              
    还有,因为没有对直流进行放大,所以也没有使用双晶体管。但是,由于差动放大电路是以“Tri与Tr2的特性一致”为前提进行工作的,所以请使用同一品种的Tri与Tr2(如果没有详细说明,即使不同品种也可以工作)。
    在此,对于Tri与Tr2,选用型号为2SC2458的晶体管。不管哪个档次的hFE都可以,重要的是使用同一档次的Tri与Tr2。
    还有,虽然使用了NPN型晶体管,但是如图11.7所示,即使使用PNP型晶体管和FET也能够组成差动放大电路。如果使用FET,就能提高输入阻抗,但电路的增益不能做得太大,这是其缺点(显然,在使用FET时,必须注意的是VGS的匹配,而不是VBE)。

    对于Tri与Tr2的品种,在设计规格中设有TPS2049DRG4规定频率特性和噪声电平,如果集电极一基极间的最大额定值VCBO与集电极一发射极间最大额走值VCEO是在电源电压以上的晶体管,那么,选择任何一种晶体管都可以(这里所说的电源电压是正电源与负电源之间的电压,在该电路中即是10V=+5V-(-5V))。

              
    还有,因为没有对直流进行放大,所以也没有使用双晶体管。但是,由于差动放大电路是以“Tri与Tr2的特性一致”为前提进行工作的,所以请使用同一品种的Tri与Tr2(如果没有详细说明,即使不同品种也可以工作)。
    在此,对于Tri与Tr2,选用型号为2SC2458的晶体管。不管哪个档次的hFE都可以,重要的是使用同一档次的Tri与Tr2。
    还有,虽然使用了NPN型晶体管,但是如图11.7所示,即使使用PNP型晶体管和FET也能够组成差动放大电路。如果使用FET,就能提高输入阻抗,但电路的增益不能做得太大,这是其缺点(显然,在使用FET时,必须注意的是VGS的匹配,而不是VBE)。

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